- 专利标题: 在使用有部分反射位置标记的基底的光刻系统中的位置确定
- 专利标题(英): Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
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申请号: CN201280027158.7申请日: 2012-04-23
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公开(公告)号: CN103582848A公开(公告)日: 2014-02-12
- 发明人: N·弗奇尔 , G·德博尔
- 申请人: 迈普尔平版印刷IP有限公司
- 申请人地址: 荷兰代尔夫特
- 专利权人: 迈普尔平版印刷IP有限公司
- 当前专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰代尔夫特
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 蒋世迅
- 优先权: 61/478,126 2011.04.22 US; 61/491,862 2011.05.31 US
- 国际申请: PCT/NL2012/050271 2012.04.23
- 国际公布: WO2012/144904 EN 2012.10.26
- 进入国家日期: 2013-12-03
- 主分类号: G03F9/00
- IPC分类号: G03F9/00
摘要:
在使用有部分反射位置标记的基底的光刻系统中的位置确定。本发明涉及光刻系统中使用的基底,所述基底配有至少部分地反射的位置标记,该位置标记包括结构的阵列,该阵列沿该标记的纵向方向延伸,其特征在于,所述结构被布置成沿该纵向方向改变标记的反射系数,其中所述反射系数对预定波长被确定。在一实施例中,镜面反射系数沿基底变化,其中高阶衍射实质上被该基底吸收。射束在基底上的位置因而能够根据基底中它的反射的强度被确定。本发明还涉及定位装置和与基底合作的光刻系统,以及该基底的制造方法。
公开/授权文献
- CN103582848B 在使用有部分反射位置标记的基底的光刻系统中的位置确定 公开/授权日:2018-05-08