在使用有部分反射位置标记的基底的光刻系统中的位置确定
摘要:
在使用有部分反射位置标记的基底的光刻系统中的位置确定。本发明涉及光刻系统中使用的基底,所述基底配有至少部分地反射的位置标记,该位置标记包括结构的阵列,该阵列沿该标记的纵向方向延伸,其特征在于,所述结构被布置成沿该纵向方向改变标记的反射系数,其中所述反射系数对预定波长被确定。在一实施例中,镜面反射系数沿基底变化,其中高阶衍射实质上被该基底吸收。射束在基底上的位置因而能够根据基底中它的反射的强度被确定。本发明还涉及定位装置和与基底合作的光刻系统,以及该基底的制造方法。
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