具有复合中心的半导体器件和制造方法

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专利标题： 具有复合中心的半导体器件和制造方法
专利标题（英）： Semiconductor device with recombination centers and method of manufacturing
申请号： CN201410279604.4

申请日： 2014-06-20
公开(公告)号： CN104241337A

公开(公告)日： 2014-12-24
发明人: R·西明耶科 , H-J·舒尔策 , S·加梅里斯 , H·韦伯
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址： 奥地利菲拉赫
专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
当前专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
当前专利权人地址： 奥地利菲拉赫
代理机构： 北京市金杜律师事务所
代理商 王茂华; 张宁
优先权： 13/923,719 2013.06.21 US
主分类号： H01L29/06
IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/32 ; H01L21/322

摘要：

本发明的实施例涉及具有复合中心的半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括具有同一导电类型的一个或多个杂质区的半导体部分。第一电极结构电连接到所述半导体部分的单元区域中的一个或多个杂质区。至少在围绕所述单元区域的边缘区域中，所述半导体部分的复合中心密度高于在所述单元区域的有源部分中的复合中心密度。

摘要（英）：

The embodiment of the invention relates to a semiconductor device with recombination centers and method of manufacturing. The semiconductor device includes a semiconductor portion with one or more impurity zones of the same conductivity type. A first electrode structure is electrically connected to the one or more impurity zones in a cell area of the semiconductor portion. At least in an edge area surrounding the cell area a recombination center density in the semiconductor portion is higher than in an active portion of the cell area.

公开/授权文献

CN104241337B 具有复合中心的半导体器件和制造方法公开/授权日：2017-07-18

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的