公开(公告)号：CN114553203A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111330663.6

申请日：2021-11-11

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： E·菲尔古特 ,  P·弗里德里希斯 ,  R·奥特伦巴 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/567 ,  H01L23/488

摘要： 一种半导体芯片，包括：具有主表面和与主表面相对的后表面的半导体主体；设置在主表面上的第一接合焊盘；设置在后表面上的第二接合焊盘；第一开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第一接合焊盘的第一输入‑输出端子；以及第二开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第二接合焊盘的第一输入‑输出端子。

公开(公告)号：CN103996701B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410054331.3

申请日：2014-02-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒 ,  H-J·舒尔策 ,  U·瓦尔 ,  W·凯因德尔

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3223 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861

摘要： 一种超结半导体器件，包括具有第一表面和平行的第二表面的半导体部分。至少在单元区域中形成第一导电类型的掺杂层。相反的第二导电类型的柱状第一超结区在垂直于第一表面的方向上延伸。第一导电类型的柱状第二超结区使第一超结区彼此分离。第一和第二超结区在第一表面和掺杂层之间形成超结结构。在第一超结区和第二表面之间的距离不超过30μm。额定用于低于1000V的反向击穿电压的低压器件的导通状态或正向电阻可以通过超结结构的电阻来定义。

公开(公告)号：CN104241337A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279604.4

申请日：2014-06-20

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·西明耶科 ,  H-J·舒尔策 ,  S·加梅里斯 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明的实施例涉及具有复合中心的半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括具有同一导电类型的一个或多个杂质区的半导体部分。第一电极结构电连接到所述半导体部分的单元区域中的一个或多个杂质区。至少在围绕所述单元区域的边缘区域中，所述半导体部分的复合中心密度高于在所述单元区域的有源部分中的复合中心密度。

公开(公告)号：CN103996701A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410054331.3

申请日：2014-02-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒 ,  H-J·舒尔策 ,  U·瓦尔 ,  W·凯因德尔

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3223 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861

摘要： 一种超结半导体器件，包括具有第一表面和平行的第二表面的半导体部分。至少在单元区域中形成第一导电类型的掺杂层。相反的第二导电类型的柱状第一超结区在垂直于第一表面的方向上延伸。第一导电类型的柱状第二超结区使第一超结区彼此分离。第一和第二超结区在第一表面和掺杂层之间形成超结结构。在第一超结区和第二表面之间的距离不超过30μm。额定用于低于1000V的反向击穿电压的低压器件的导通状态或正向电阻可以通过超结结构的电阻来定义。

公开(公告)号：CN103996700A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410052735.9

申请日：2014-02-17

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F·希尔勒 ,  W·凯因德尔 ,  H-J·舒尔策 ,  U·瓦尔 ,  A·威尔梅洛斯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明的实施例涉及包括注入区的超级结半导体器件。在具有第一表面和平行于第一表面的工作表面的半导体衬底中，形成了第一和第二导电类型的圆柱状第一和第二超级结区域。第一和第二超级结区域在垂直于第一表面的方向上延伸并形成超级结结构。将半导体部分变薄，使得在变薄之后具有第二导电类型的第一超级结区域与从该工作表面得到的第二表面之间的距离不超过30μm。杂质被注入第二表面以形成一个或多个注入区。这些实施例将多种超级结方法与通过薄晶片技术实现的后侧注入物进行结合。

公开(公告)号：CN112885888A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202011361668.0

申请日：2020-11-27

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·布罗克迈尔 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329

摘要： 公开了竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。

公开(公告)号：CN104037070B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410083341.X

申请日：2014-03-07

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·毛德 ,  R·奥特雷姆巴 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明提供一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体衬底；在衬底上提供至少一个半导体器件，该半导体器件具有与半导体衬底相对的背面和朝向半导体衬底的正面；在半导体器件的背面上提供接触层；将接触层接合到辅助载体；并且从衬底分离该至少一个半导体器件。此外，本发明还提供一种根据该方法生产的半导体器件和中间产品。

公开(公告)号：CN104347722A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410389778.6

申请日：2014-08-08

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  F·希尔勒 ,  A·毛德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/1083 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/22 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

摘要： 一种功率半导体器件，包括：具有第一侧、与第一侧相对的第二侧以及外轮缘的半导体主体。半导体主体包括有源区、有源区和外轮缘之间布置的边缘端接区、在有源区中并且连接到布置在第一侧上的第一电极的第一掺杂区、在有源区和边缘端接区中并且连接到布置在第二侧上的第二电极的第二掺杂区、在第一掺杂区和第二掺杂区之间的漂移区，所述漂移区包括邻近第一侧的第一部分和布置在第一部分和第二掺杂区之间的第二部分、以及布置在边缘端接区中处于第二掺杂区和漂移区的第一部分之间的绝缘区。

公开(公告)号：CN102054859A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010287596.X

申请日：2010-09-17

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  Y10S257/901

摘要： 本发明涉及双极型半导体器件和制造方法。提供具有空穴电流再分布结构(10)的双极型半导体器件(100)和n沟道IGBT(100)。n沟道IGBT(100)具有：p掺杂的主体区(3)，具有第一空穴迁移率；以及子区(10)，其完全嵌在主体区(3)内且具有比第一空穴迁移率低的第二空穴迁移率。而且，提供一种用于形成双极型半导体器件(100)的方法。

公开(公告)号：CN106128967B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201610283766.4

申请日：2016-04-29

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： W·扬奇尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  H01L27/085

摘要： 一种在半导体晶片(105)中制造半导体装置的方法包括在所述半导体晶片中形成电荷补偿装置结构(111，112)。测量与所述电荷补偿装置结构(111，112)相关的电特性(αi)。基于测得的电特性(αi)调节质子辐射参数和退火参数中的至少一个。基于调节后的质子辐射参数和退火参数中的至少一个以质子照射所述半导体晶片(105)并对所述半导体晶片(105)退火。基于测得的电特性(αi)针对所述半导体晶片(105)上的不同位置调节光子束辐射参数。基于所述光子束辐射参数以光子束(137)在所述半导体晶片的不同位置处照射所述半导体晶片(105)。