公开(公告)号：CN104241337B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201410279604.4

申请日：2014-06-20

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·西明耶科 ,  H-J·舒尔策 ,  S·加梅里斯 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

摘要： 本公开的实施例涉及具有复合中心的半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括具有同一导电类型的一个或多个杂质区的半导体部分。第一电极结构电连接到所述半导体部分的单元区域中的一个或多个杂质区。至少在围绕所述单元区域的边缘区域中，所述半导体部分的复合中心密度高于在所述单元区域的有源部分中的复合中心密度。

公开(公告)号：CN104134693B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410182811.8

申请日：2014-04-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： S·加梅里斯 ,  A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7396 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的实施方式公开了具有含有一对、两对或多对补偿层的超级结结构的半导体器件。一种超级结半导体器件包括具有从基部区段突出的台面区域的半导体部分。台面区域在平行于半导体部分的第一表面的横向方向上在空间上分离。具有第一导电类型的至少两个第一补偿层和互补的第二导电类型的至少两个第二补偿层的补偿结构可以覆盖台面区域的侧壁以及基部区段的在台面区域之间部分。补偿结构的片段的掩埋侧面可以切割台面区域之间的第一和第二补偿层。第一导电类型的漏极连接结构可以沿着掩埋侧面延伸并且可以以经济方式在结构上连接第一补偿层，从而保持热预算低。

公开(公告)号：CN104241337A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279604.4

申请日：2014-06-20

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·西明耶科 ,  H-J·舒尔策 ,  S·加梅里斯 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明的实施例涉及具有复合中心的半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括具有同一导电类型的一个或多个杂质区的半导体部分。第一电极结构电连接到所述半导体部分的单元区域中的一个或多个杂质区。至少在围绕所述单元区域的边缘区域中，所述半导体部分的复合中心密度高于在所述单元区域的有源部分中的复合中心密度。

公开(公告)号：CN104134693A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410182811.8

申请日：2014-04-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： S·加梅里斯 ,  A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7396 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的实施方式公开了具有含有一对、两对或多对补偿层的超级结结构的半导体器件。一种超级结半导体器件包括具有从基部区段突出的台面区域的半导体部分。台面区域在平行于半导体部分的第一表面的横向方向上在空间上分离。具有第一导电类型的至少两个第一补偿层和互补的第二导电类型的至少两个第二补偿层的补偿结构可以覆盖台面区域的侧壁以及基部区段的在台面区域之间部分。补偿结构的片段的掩埋侧面可以切割台面区域之间的第一和第二补偿层。第一导电类型的漏极连接结构可以沿着掩埋侧面延伸并且可以以经济方式在结构上连接第一补偿层，从而保持热预算低。