发明授权
- 专利标题: 等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法
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申请号: CN201310504954.1申请日: 2013-10-23
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公开(公告)号: CN104576280B公开(公告)日: 2017-10-20
- 发明人: 杜若昕 , 梁洁 , 王洪青 , 刘志强 , 苏兴才
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 王洁
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; H01J37/20 ; H01L21/67 ; H01L21/683
摘要:
本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法,其中,包括:一腔体;基台,其设置于腔体下方,基片放置于所述基台表面;设置于所述基台内部的若干冷却气体通道,其中通有冷却气体,所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔,所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面;若干升举顶针,其可移动地设置于基台内部,能够向上顶起基片,静电夹盘,位于所述基台的上部,其最上层设置有一绝缘层,在所述绝缘层中设置有一电极,其中,所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题,且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。
公开/授权文献
- CN104576280A 等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法 公开/授权日:2015-04-29