本发明公开了一种光电器件的制备方法，在衬底载入反应室之后和生长外延层之前，对衬底进行UVLED处理，有效降低衬底在放入载片盘和载入反应室过程中引起的表面有机或/和无机物污染，保证在生长外延层前表面清洁，避免外延层生长后表面缺陷的产生；在所述UVLED处理后的衬底上生长N型、有源和P型外延层，在各外延层生长过程中同时进行UVLED处理，有效降低各掺杂或非掺AlInGaN、AlGaInP、AlGaInAs多元外延层中的点缺陷，提升晶体质量，同时可打断P型层的Mg‑H钝化键，因此可以有效提升N型和P型层自由载流子浓度和迁移率，提升有源区效率，进而提高光电器件的性能，适用于半导体光电器件。