-
公开(公告)号：CN113921674B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111164722.7
申请日：2021-09-30
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，本发明提供的发光二极管中，通过将欧姆接触电极下方的欧姆接触层进行图形化成若干间隔设置的子欧姆接触块，同时通过欧姆接触电极与间隔设置的欧姆接触层进行电性连接，不仅能够减少现有技术中欧姆接触层中吸光过多的问题，还能通过间隔分散设置的欧姆接触，使得电流在半导体层的扩散更加均匀，进一步提高了发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN113871520B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111077795.2
申请日：2021-09-15
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件及制作方法，所述半导体发光元件包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层包含第一电流扩展层，所述第一电流扩展层包含自第一表面至第二表面的第一部分和第二部分组成，所述第一部分的平均带隙大于第二部分的平均带隙，第二部分由带隙不同的第一子层和第二子层交替堆叠形成。所述电流扩展层可改善电流扩展的均匀性，提升发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN117810333A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311317728.2
申请日：2023-10-11
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本申请提供一种发光二极管及发光装置，本申请的发光二极管包括在第一半导体层中掺杂第一N型杂质，该第一N型杂质在距离有源层底面200nm～400nm的范围内具有一浓度为2E17/cm3的A点。上述第一N型杂质为Te，由于Te自身具有良好的高温特性，在高温下其浓度更加稳定，同时由于Te的类金属特性，其原子个数比较大，迁移率低。基于上述原因，第一半导体层中掺杂Te能够有效抑制第一半导体层中的掺杂物向有源层的迁移，提升有源层的晶体质量，同时还可保证第一半导体层向有源层提供充足的电子，从而保证了发光二极管的发光亮度。
-
公开(公告)号：CN117690994A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311571379.7
申请日：2023-11-23
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/11
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏三极管的制备方法，其包括下列步骤：在外延结构上生成第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以在外延结构上形成P型窗口区；在外延结构和第一氧化层上沉积P型杂质源，并形成第二氧化层；对第一氧化层和第二氧化层进行刻蚀，以形成N型窗口区；在第一氧化层、第二氧化层和外延结构上沉积PSG钝化层，然后进行高温氧化推进处理，以形成P型区和N型区；PSG钝化层中含有N型杂质源；对位于P型区和N型区处的PSG钝化层进行刻蚀，以得到欧姆接触孔；在欧姆接触孔处形成电极结构。借此设置，可以使得晶圆上制备的光敏三极管在各个区域的放大倍数更为均匀，不会存在放大倍数相差较大的情况，提升光敏三极管的品质。
-
公开(公告)号：CN117637961A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311544161.2
申请日：2023-11-17
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种红外发光二极管和发光装置，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层自第一表面至第二表面方向包含第一欧姆接触层，第一窗口层和第一覆盖层；第一电极，位于所述第一类型半导体之上，包含主电极以及复数个延伸电极，所述延伸电极由所述主电极向外延伸；以及一粘附层，位于所述第一窗口层以及所述第一电极的主电极之间。本发明通过所述粘附层的设置，提升所述第一电极与半导体外延叠层之间的粘附性，提升电极的打线能力，从而提升红外发光二极管的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117542906A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311433889.8
申请日：2023-10-31
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种光敏元件及其制造方法及光敏探测器，本申请的光敏元件采用本征硅衬底作为本征层，用作光吸收层。上述本征硅衬底为减薄后的衬底，减薄后的衬底厚度介于50μm～100μm。该厚度有效减少了进入本征硅衬底的光子的传输距离，能够有效提高光子的响应速度。另外，衬底的背面侧形成反射结构，该反射结构能够对自衬底正面一侧入射但并未被本征硅衬底吸收的光子进行反射，使其在此进入本征层，由本征层吸收，由此提高了本征层对光子的吸收效率，被吸收的光子转化为光电流，由此保证光敏元件的光电流。
-
公开(公告)号：CN117352503A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311310899.2
申请日：2023-10-11
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L31/0203 , H01L31/02
摘要： 本申请提供一种LED光电耦合器件及其制造方法及LED光电耦合器件封装结构，本申请的LED光电耦合器件，通过透明绝缘介质将光发射芯片LED与光接收芯片光敏元件键合在一起，实现LED芯片与光敏元件的晶圆级键合，使得单一芯片具备光发射与光接收的功能。上述光耦合器件封装简单，成本低，并且能够充分利用LED芯片的出光，提高光电耦合器件的CTR。光敏元件经透明绝缘介质层与LED芯片键合，因此光敏元件无需形成复杂的钝化层，同时还可以在光敏元件上方形成增透膜层，以提高器件的CTR。
-
公开(公告)号：CN114038969B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111318193.1
申请日：2021-11-09
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/30
摘要： 本发明公开了一种LED外延结构及LED芯片，所述LED外延结构包括：衬底；外延层，设置于衬底的上方，且外延层在衬底的上方依次包括N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型电流扩展层，设置于P型半导体层的上方；P型欧姆接触层，设置于P型电流扩展层的上方，P型欧姆接触层包括多个层对，所述层对分别由第一子层和第二子层构成，其中第一子层的P型掺杂浓度小于第二子层的P型掺杂浓度。本发明能够有利于LED外延结构P端的电流扩展，并且能够降低LED器件的电阻及操作电压，提升LED器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN116705949A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310369255.4
申请日：2023-04-07
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、N型电极和透明导电电极，外延结构包括依次层叠的P型半导体层、发光层和N型半导体层，N型电极连接N型半导体层，N型电极包括起始电极和X个延伸电极，X≥2，X个延伸电极连接起始电极，X个延伸电极是沿着起始电极的边缘间隔分布，透明导电电极连接P型半导体层，其中，透明导电电极为分布式电极，透明导电电极包括Y个独立的围绕电极，Y≥2，且Y≤X，各围绕电极在水平面的第一投影围绕延伸电极的延伸末端在水平面的第二投影。通过设置围绕延伸电极的围绕电极，提升发光二极管的电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的光电特性和产品性能。
-
公开(公告)号：CN116682918A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310802407.5
申请日：2023-06-30
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，本发明提供一种发光二极管，其包括半导体叠层、欧姆接触电极和第一电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有相对的第一侧和第二侧，欧姆接触电极连接第二半导体层，第一电极连接第一半导体层，第一电极包括起始电极、N个第一延伸电极和M个第二延伸电极，起始电极位于第一侧，N个第一延伸电极连接起始电极并朝向第二侧延伸，第二延伸电极连接第一延伸电极并朝向第二侧延伸，M大于N，M和N均为正整数且大于2。借此，解决传统发光二极管的电流扩散差问题，提升发光二极管的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
447 条记录 (耗时 0.058 秒)
