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公开(公告)号：CN104300051B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410468507.X
申请日：2014-09-16
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物系发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型氮化物层、(InxGa1‑xN/GaN)n MQW发光层和P型氮化物层，所述MQW结构InxGa1‑xN阱层中插入至少一渐变InN层。本发明所述阱层中渐变InN层的插入，可以有效弱化量子阱极化场，使得量子阱的能带由倾斜变得平缓，从而增强载流子在阱层中的注入和扩散，进而增加电子和空穴复合几率，增加内量子效率，最终，提高发光二极管的发光效率并降低efficiency droop效应，并且不会影响LED光谱半高宽、波长控制和波长稳定性。
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公开(公告)号：CN104124312A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410398578.7
申请日：2014-08-14
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/153 , H01L31/02019 , H01L31/1848 , H01L31/1852
摘要： 本发明涉及一种自给式发光二极管组件，包括一包含太阳能电池和发光二极管的一体化元件和一包含存储功能的控制元件。其中太阳能电池和发光二极管为一体化外延和芯片结构，依次至少包含衬底、第一N型半导体层、光吸收层、P型半导体层、发光层、第二N型半导体层、N电极和P电极，二者无需额外连接层进行连接，直接制备完成，简化制备工艺并降低成本，适合大规模生产，且为自给式纯绿色光电器件，符合国家节能减排战略的需要。
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公开(公告)号：CN103996755A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410215285.0
申请日：2014-05-21
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H01L33/005 , H01L33/007
摘要： 本发明涉及一种氮化物发光二极管组件的制备方法，具有降低电子漏电，降低efficiencydroop效应，增强空穴浓度，增强发光效率的优势，该方法是采用如下步骤实现的：（1）提供一过渡衬底；（2）在所述过渡衬底上依次生长P型半导体层和第一键合层；（3）提供一永久衬底；（4）在所述永久衬底上依次生长N型半导体层、发光层和第二键合层；（5）将生长有P型半导体层的过渡衬底以及生长有N型半导体层、发光层的永久衬底，通过第一键合层和第二键合层进行键合。
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公开(公告)号：CN104638070B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201510099385.6
申请日：2015-03-06
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种光电器件的制备方法，在衬底载入反应室之后和生长外延层之前，对衬底进行UVLED处理，有效降低衬底在放入载片盘和载入反应室过程中引起的表面有机或/和无机物污染，保证在生长外延层前表面清洁，避免外延层生长后表面缺陷的产生；在所述UVLED处理后的衬底上生长N型、有源和P型外延层，在各外延层生长过程中同时进行UVLED处理，有效降低各掺杂或非掺AlInGaN、AlGaInP、AlGaInAs多元外延层中的点缺陷，提升晶体质量，同时可打断P型层的Mg‑H钝化键，因此可以有效提升N型和P型层自由载流子浓度和迁移率，提升有源区效率，进而提高光电器件的性能，适用于半导体光电器件。
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公开(公告)号：CN104124312B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410398578.7
申请日：2014-08-14
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种自给式发光二极管组件，包括一包含太阳能电池和发光二极管的一体化元件和一包含存储功能的控制元件。其中太阳能电池和发光二极管为一体化外延和芯片结构，依次至少包含衬底、第一N型半导体层、光吸收层、P型半导体层、发光层、第二N型半导体层、N电极和P电极，二者无需额外连接层进行连接，直接制备完成，简化制备工艺并降低成本，适合大规模生产，且为自给式纯绿色光电器件，符合国家节能减排战略的需要。
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公开(公告)号：CN104201261A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410456524.1
申请日：2014-09-10
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层。所述MQW发光层由周期性阱/垒交替堆叠而成，所述阱层为InxGa1-xN层，所述垒层为同时掺N/P的GaN层，可以为均匀掺杂、非均匀掺杂或delta掺杂，掺杂N/P垒层个数和垒层中N/P掺杂周期、掺杂区域和掺杂浓度均可调节。本发明采用以上在MQW结构GaN垒层中同时进行N/P掺杂形成隧穿结，可有效提高空穴和电子在整个MQW区域的传输和扩散，从而拓宽MQW的发光区域并提高空穴和电子的复合几率，最终，显著提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104538516B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510013690.9
申请日：2015-01-12
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlGaInP系发光二极管器件，依次包括：依次包括：衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、窗口层，所述发光层和P型AlGaInP层之间插入GaP层，进一步地所述P型半导体层中至少插入一GaP层。所述GaP层的插入，能带结构上可以有效阻挡电子向P型层泄漏的同时，增加P型层空穴的浓度，因此，可以有效增加发光层中电子和空穴的复合几率，进而，提高发光二极管器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN104900772A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510343269.4
申请日：2015-06-19
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0062 , H01L2933/0025
摘要： 本发明公开发光二极管的制备方法，具有显著增加光的反射，增强发光二极管发光效率的有益效果，是通过以下步骤实现的：（1）提供一生长衬底；（2）在生长衬底上依次沉积缓冲层、N型层、发光层和P型层；（3）分别在N型层和P型层上制备N电极和P电极；（4）对生长衬底背面研磨减薄；（5）提供一与生长衬底直径相同的Si衬底；（6）将Si衬底与生长衬底背面进行对位；（7）通过键合工艺将Si衬底键合在生长衬底背面，然后研磨减薄，形成薄层Si；（8）对生长衬底背面上薄层Si进行热氧化反应，形成Si/SiO2结构；（9）循环步骤（5）~（8），形成n对Si/SiO2组成的DBR结构。
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公开(公告)号：CN104362232A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410584482.X
申请日：2014-10-28
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，至少包括：N型层、发光层以及P型层，其特征在于：所述发光层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加空穴和电子的复合几率，提高内量子效率；进一步地，N型层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加光的反射，提高光取出效率，提高外量子效率，从而显著提高发光二极管的发光效率；而且直接利用在外延制程中通过调节生长速率、厚度、温度、压力或掺杂形成V型坑，无需蚀刻工艺，避免对发光二极管外延层的破坏，简化工艺，提高器件稳定性。
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