-
公开(公告)号：CN118541817A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280072076.8
申请日：2022-08-29
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/44 , H01L25/075 , H01L33/22
摘要： 本发明公开微发光二极管，微发光元件及其制备方法和显示器，微发光元件包括基板，至少一个微发光二极管，设置在所述基板上；所述微发光二极管包括：半导体外延叠层，包括顺序排列的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述第一类型半导体层的一侧；所述第二表面靠近所述第二类型半导体层的一侧；所述第一表面靠近所述基板；胶膜层，位于所述基板和所述半导体外延叠层的第一表面之间；其特征在于：所述胶膜层和所述半导体外延叠层的第一表面之间含有蚀刻保护层。本发明可减少激光剥离微发光二极管后的残胶去除过程中对半导体外延叠层的损伤，提升微发光元件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117894876A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311871314.4
申请日：2023-12-29
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0216
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏二极管及其制备方法，其制备步骤包括：在衬底处生长第一氧化层和第二氧化层；刻蚀第一氧化层并做P型掺杂扩散形成深掺区；刻蚀第一氧化层并做P型掺杂扩散形成浅掺区，浅掺区的掺杂浓度低于深掺区；刻蚀第一氧化层和第二氧化层形成第三开口；由第三开口和衬底下端进行N型掺杂扩散；在第一氧化层和衬底上端设置介质层，介质层具有第四开口；在介质层上设置正电极，正电极通过第四开口连接深掺区；第一氧化层包括第一部分和第二部分，第一部分相较于第二部分更靠近正电极，第一部分的宽度大于第二部分的宽度。借此设置，可以有效提升光敏二极管的抗静电击穿能力，提高光敏二极管的品质。
-
公开(公告)号：CN117855363A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311777486.5
申请日：2023-12-22
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种发光二极管的制备方法，其包括：在衬底上生长外延，外延包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和P型窗口层，P型窗口层包括凸起部和凹陷部；凸起部上设置透明导电层；透明导电层上设置第一电流阻挡层，第一电流阻挡层具有第一表面和第二表面，第一表面到凸起部的间距为第一高度，第二表面到凹陷部的间距为第二高度，第一高度和第二高度大于凸起部的厚度；对第一电流阻挡层刻蚀，使第一表面齐平第二表面；对第一电流阻挡层进行开孔；在第一电流阻挡层上设置金属反射层。借此设置，可以有效改金属反射层的金属析出问题，避免漏电现象发生，提高了发光二极管的品质。
-
公开(公告)号：CN117832314A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311785035.6
申请日：2023-12-22
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G01J1/42
摘要： 本申请提供一种PIN型光敏元件及其制造方法及光敏探测器，本申请的PIN型光敏元件取消截止环结构，由此使得P型区在衬底表面的面积占比增加，由此可以增加光敏元件的光敏面积。由此可以提高光敏元件的光电流。另外，省去截止环结构，可以节省光敏元件的制作工序，也能够避免因衬底正面的P和B同时扩散形成的横向扩散导致的横向击穿漏电，提高器件的良率。因为本申请的光敏元件不存在上述因P和B同时扩散导致的横向击穿，因此可将背面的磷扩散加深，即将N型区加深，从而提高光敏二极管的暗电流的温漂性能。
-
公开(公告)号：CN117810322A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311644060.2
申请日：2023-12-04
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延结构、LED芯片和发光装置，该LED外延结构包括自下而上叠置的衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，有源层包括n对阱层与垒层的组合。阱层的结构材料为(AlX1Ga1‑X1)Y1In1‑Y1P，垒层的结构材料为(AlX2Ga1‑X2)Y2In1‑Y2P，相对于现有技术方案，本申请将阱层及垒层的In含量同步进行降低，因阱层与垒层之间仍然保持着一定的In含量差异，也就保证了阱层的压应力，不会对发光效率造成影响。同时，降低的In含量又缩减了阱层与衬底之间晶格常数的差异，减少位错等缺陷的产生，提升外延层的晶体质量。采用本申请的有源层设计后，不仅使得外延片边缘暗亮线大幅收敛，还使得LED芯片有5％‑10％的亮度提升。
-
公开(公告)号：CN117542936A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311433284.9
申请日：2023-10-31
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层包含n个周期的量子阱结构，每个周期的量子阱结构包括依次沉积的阱层和势垒层，所述第二类型半导体层包括第二覆盖层和第二电流扩展层，其特征在于：所述第二电流扩展层的厚度（μm）与所述发光二极管的电流密度（A/mm2）的比值介于0.6~4。本发明根据发光二极管的电流密度调整第二电流扩展层的厚度，可提高发光二极管的饱和电流，提升发光二极管的Hot/Cold性能和发光效率。
-
公开(公告)号：CN117525231A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311437001.8
申请日：2023-10-31
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种发光二极管及发光装置，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中，第二半导体层包括电流扩展层，所述电流扩展层自第一半导体层至第二半导体层方向包括包含第一p型杂质的第一掺杂层、包含所述第一p型杂质和第二p型杂质的第二掺杂层、包含所述第二p型杂质的第三掺杂层；第一掺杂层中第一p型杂质的浓度小于等于第二掺杂层中第一p型杂质的浓度；第三掺杂层中第二p型杂质的浓度大于第二掺杂层中第二p型杂质的浓度。本申请通过在电流扩展层中掺杂两种不同p型杂质以及设置两种不同p型杂质的掺杂浓度，以提升发光二极管的电流扩展能力，降低发光二极管的内阻，提升发光二极管的亮度。
-
公开(公告)号：CN117393674A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311237667.9
申请日：2023-09-25
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/44
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括衬底、透明折射层和半导体叠层，衬底具有相对的上表面和下表面，衬底具有第一折射率，透明折射层设置在衬底的下表面，透明折射层具有第二折射率，第二折射率大于1，半导体叠层设置在衬底的上表面，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。借此设置，可以减少发光层的出射光在衬底出光面出现全反射概率，从而提高发光二极管的光取出效率，提高发光二极管的出光性能。
-
公开(公告)号：CN117038816A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310984083.1
申请日：2023-08-07
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制作方法，所述发光二极管包括：衬底，具有相对的上表面和下表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的上表面之上的第一半导体层，活性层和第二半导体层；透明导电层，设置于所述第二半导体层远离衬底一侧的上表面上；侧壁，形成于所述半导体外延叠层以及衬底的边缘;其特征在于：还包括钝化层，覆盖所述透明导电层的表面，并且钝化层连接至所述侧壁，侧壁未被钝化层包覆的部分具有粗化结构,粗化结构包括凸起。本发明中钝化层的设置，可以提升半导体发光二极管的可靠性，提升发光二极管的光电性能。
-
公开(公告)号：CN116169224A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310110815.4
申请日：2020-03-06
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种倒装发光二极管，其结构自下而上包含：正、负焊接电极、DBR、第一透明介电层、第二透明介电层、第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层，其特征在于，第一透明介电层为低折射率n1材料，厚度为大于λ/2n1的任意厚度，其中λ为发光层的发光波长；第二透明介电层为高折射率n2材料，其中n2大于n1，厚度为λ/4n2或其奇数倍。本发明可提高DBR反射率，提升倒装发光二极管的发光亮度，同时可提升制程稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
442 条记录 (耗时 0.069 秒)
