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公开(公告)号：CN105355738B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510891232.5
申请日：2015-11-30
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 本发明提供一种发光二极管外延片结构及制备方法，由下至上包括：衬底、缓冲层、非掺氮化镓层、N型区、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型区以及P型接触层；其特征在于：分别采用NGaN/N‑UGaN和PGaN/P‑UGaN的超晶格结构形成N型区和P型区，在N型区的NGaN与N‑UGaN之间插入SiN层，在P型区的PGaN与P‑UGaN之间插入MgN层。本发明藉由一定厚度的SiN和MgN插入层发挥修复位错的作用，在同位错级别条件下具备掺入更高浓度的Si和Mg的能力，且SiN和MgN构成的较薄掩膜层对电子和空穴具备一定的束缚能力，可提高二维电子气的存在集中度，增强抗静电能力。
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公开(公告)号：CN105742427B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201610219566.2
申请日：2016-04-11
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管包括N型层、发光层、P型层和接触层，在P型层和接触层之间设计插入层，该插入层由掺杂区域间断分布的N+氮化物层、P+氮化物层构成，且N+氮化物层、P+氮化物层中掺杂区域在垂直方向上不完全重合；该插入层中掺杂区域间断分布的N+氮化物层与P+氮化物层形成斜向遂穿结，增强电流扩展，提高LED亮度及可靠性。
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公开(公告)号：CN105428483A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510958441.7
申请日：2015-12-21
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/20
摘要： 本发明提供一种发光强度均匀的二极管结构设计，该外延片结构由下至上包括：衬底，N型层，多量子阱有源区，P型层；随后进行芯片工艺制备，在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值，通过控制电流调整结构在N型层汇总占用体积、横向和纵向蚀刻深度，降低了临近N电极位置的载流子聚集效应，使更多的载流子流向靠近P电极位置，增加N型层中流向靠近P电极位置电子数量，使同一LED芯片不同位置发光更加均匀；同时由于载流子聚集效应得到缓解，LED可靠性得到进一步提升。
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公开(公告)号：CN104362232A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410584482.X
申请日：2014-10-28
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，至少包括：N型层、发光层以及P型层，其特征在于：所述发光层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加空穴和电子的复合几率，提高内量子效率；进一步地，N型层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加光的反射，提高光取出效率，提高外量子效率，从而显著提高发光二极管的发光效率；而且直接利用在外延制程中通过调节生长速率、厚度、温度、压力或掺杂形成V型坑，无需蚀刻工艺，避免对发光二极管外延层的破坏，简化工艺，提高器件稳定性。
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公开(公告)号：CN104362232B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201410584482.X
申请日：2014-10-28
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，至少包括：N型层、发光层以及P型层，其特征在于：所述发光层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加空穴和电子的复合几率，提高内量子效率；进一步地，N型层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加光的反射，提高光取出效率，提高外量子效率，从而显著提高发光二极管的发光效率；而且直接利用在外延制程中通过调节生长速率、厚度、温度、压力或掺杂形成V型坑，无需蚀刻工艺，避免对发光二极管外延层的破坏，简化工艺，提高器件稳定性。
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公开(公告)号：CN105428483B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510958441.7
申请日：2015-12-21
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种发光强度均匀的二极管结构设计，该外延片结构由下至上包括：衬底，N型层，多量子阱有源区，P型层；随后进行芯片工艺制备，在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值，通过控制电流调整结构在N型层汇总占用体积、横向和纵向蚀刻深度，降低了临近N电极位置的载流子聚集效应，使更多的载流子流向靠近P电极位置，增加N型层中流向靠近P电极位置电子数量，使同一LED芯片不同位置发光更加均匀；同时由于载流子聚集效应得到缓解，LED可靠性得到进一步提升。
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公开(公告)号：CN104300051A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410468507.X
申请日：2014-09-16
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物系发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型氮化物层、(InxGa1-xN/GaN)nMQW发光层和P型氮化物层，所述MQW结构InxGa1-xN阱层中插入至少一渐变InN层。本发明所述阱层中渐变InN层的插入，可以有效弱化量子阱极化场，使得量子阱的能带由倾斜变得平缓，从而增强载流子在阱层中的注入和扩散，进而增加电子和空穴复合几率，增加内量子效率，最终，提高发光二极管的发光效率并降低efficiencydroop效应，并且不会影响LED光谱半高宽、波长控制和波长稳定性。
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公开(公告)号：CN103647009A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310665895.6
申请日：2013-12-11
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , C30B25/16 , C30B29/403 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一氮化物发光二极管及其制备方法，其结构至少包括：衬底、n型氮化物层、有源区、p型氮化物层。其中，所述有源区包括M对AlxIn1-x-yGayN/GaN量子阱和N对InGaN/GaN量子阱，改善了电子回流和极化效应，增加量子阱区的复合效率和界面处的二维电子气密度，提升发光二极管的光电转换效率；同时，增强了LED对静电的耐受能力，改善了LED的电学性能。
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公开(公告)号：CN103545405A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310555496.4
申请日：2013-11-11
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L35/34
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制备方法，属于光电器件制备领域。其具体结构包含：衬底、n型氮化物、发光层、p型氮化物层、p+型层、氮化铟铝层、n+型层、ITO透明电极。采用具有氮化铟铝插入层的隧穿结构作为接触层，能够在隧穿结界面处产生极化电荷，同时保持耗尽区的有效宽度，提升空穴的隧穿几率，减小接触电阻。
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