一种用于提拉炉的激光监控分析系统

发明授权

CN104746136B 一种用于提拉炉的激光监控分析系统失效 - 权利终止

摘要：

本发明公开了一种用于提拉炉的激光监控分析系统，用于提拉炉内晶体生长过程中的监控和分析，所述系统以激光对提拉炉内生产环境进行主动照明，通过生产环境所反射回的激光对提拉炉内的晶体生长过程进行成像分析，本发明能在提拉炉内强光环境下，实现对晶体生成过程的可靠清晰监控和分析。

审查信息

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C	化学；冶金
C30	晶体生长
C30B	单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置
C30B15/00	熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B27/00）
C30B15/20	.控制或调节（一般的控制或调节入G05）
C30B15/22	..被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
C30B15/26	...使用电视摄像机的；使用光检测器或X射线检测器的