发明授权
- 专利标题： 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
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申请号： CN201410136033.9申请日： 2014-04-04
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公开(公告)号： CN104979390B公开(公告)日： 2020-07-07
- 发明人: 萧世楹 , 游焜煌 , 李文芳 , 林淑雯 , 陈冠全
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。半导体晶体管包含一基底、一栅极介电层、一栅极以及一源极与漏极区。该栅极介电层，是设置在该基底上，具有一凸部及一凹陷部，其中该凸部设置于该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度。该栅极则设置于该栅极介电层上。由此，该栅极介电层的凸部可维持较高的击穿电压，避免电流自栅极渗漏。
公开/授权文献
- CN104979390A 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 公开/授权日：2015-10-14
IPC分类:
