发明授权
CN106876398B 含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法
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申请号： CN201710192448.1申请日： 2011-06-27
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公开(公告)号： CN106876398B公开(公告)日： 2020-10-20
- 发明人: C·卡尔松 , 欧勒·乔尼·哈格尔 , 雅各布·尼尔森 , P·布罗姆斯
- 申请人： 薄膜电子有限公司
- 申请人地址： 挪威奥斯陆
- 专利权人： 薄膜电子有限公司
- 当前专利权人： 薄膜电子有限公司
- 当前专利权人地址： 挪威奥斯陆
- 代理机构： 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 张瑞; 郑霞
- 主分类号： H01L27/11502
- IPC分类号： H01L27/11502 ; H01L27/12 ; H01L51/05 ; G11C11/22 ; G11B9/02
摘要：
本申请涉及含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法。铁电存储单元(1)和包括一个或多个这样的单元(1)的存储设备(100)。铁电存储单元包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11)。所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及位于所述电极之间的至少一个铁电存储材料层(7)。该堆叠还包括布置在顶部电极层(9)和保护层(11)之间的缓冲层(13)。缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在保护层(11)内的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述尺寸改变(ΔL)转移到电活性部分(4a)，因此减少发生在电极之间的短路风险。
公开/授权文献
- CN106876398A 含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法 公开/授权日：2017-06-20
IPC分类:
