-
公开(公告)号：CN112652847A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010937247.1
申请日：2020-09-08
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： H01M50/24 , H01M50/222 , H01M50/244 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , H01L23/00 , H01L23/14 , H01L23/60 , H01L21/48
摘要： 本发明的实施例涉及用于支撑电子和/或微机电系统(MEMS)设备的柔性基板的多层阻挡层。设备包括：基板、第一金属氮化物层、在第一金属氮化物层之上的第一氧化物层、在第一氧化物层之上的第二金属氮化物层和第二氧化物层、以及在第一氧化物层之上或在第一和第二氧化物层之上的器件层。当器件层在第一氧化物层之上时，第二金属氮化物层在器件层之上，而第二氧化物层在第二金属氮化物层之上。当器件层在第一和第二氧化物层之上时，第二金属氮化物层在第二氧化物层之上。本发明还公开了一种制造上述设备的方法。
-
公开(公告)号：CN108292371A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680046378.2
申请日：2016-08-05
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q1/38
CPC分类号： G06K19/077 , H01Q1/2225
摘要： 本发明公开了一种无线（例如，近场或RF）通信设备及其制造方法。制造无线通信设备的方法包括：在第一衬底上形成集成电路，在所述集成电路的输入和/或输出端子上印刷柱状凸点，在第二衬底上形成天线，并电连接所述天线端部至所述柱状凸点。所述天线被配置为（i）接收和（ii）发送或广播无线信号。
-
公开(公告)号：CN102971849B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201080023017.9
申请日：2010-05-27
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L27/1218 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开了位于覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法。该半导体组件包含一金属基板、一位于该金属基板上的扩散阻障层、一位于该扩散阻障层上的绝缘层以及一位于该绝缘层上的半导体层。该方法包含在该金属基板上形成一扩散阻障层、在该扩散阻障层上形成一绝缘层以及在该绝缘层上形成一半导体层。这类覆有扩散阻障层的金属基板可避免其金属原子扩散进入形成于其上的半导体组件中。
-
公开(公告)号：CN102822985B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180015387.2
申请日：2011-04-06
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02628 , H01L21/02661 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明披露了外延结构、产生外延结构的方法、以及含有此外延结构的器件。该方法与结构使用了液相IVA族半导体元素前体油墨(例如含有环硅烷和/或聚硅烷)且具有较良好的薄膜质量(例如纹理、致密度和/或纯度)。当沉积在(多)晶性基板表面上并经由加热足以使该IVA族半导体前体薄膜或特征部采取基板表面的(多)晶性结构时，IVA族半导体元素前体油墨会形成外延薄膜或特征部。相较于那些含有以非本发明的外延结构制成的选择性发射体的器件而言，含有具有本发明的外延结构的选择性发射体的器件会呈现出较佳的能量转换效率，这是因为其薄膜质量较佳和/或其外延薄膜与形成于该薄膜上的接点之间的区域中形成了完美的界面。
-
公开(公告)号：CN1906697B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480040551.5
申请日：2004-11-24
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： G11C11/22 , G06F12/0238 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C8/12 , G11C2013/0083
摘要： 在用于避免采用无源矩阵寻址的数据存储装置中的干扰电压效应的方法中，根据电压脉冲协议来为寻址操作施加电位。该装置的数据存储单元在两个或更多个电分隔的段中提供，每段构成该数据存储装置物理地址空间的非交叠物理地址子空间。利用具有特定极性的激活电压脉冲将每段中的多个数据存储单元预置成相同极化状态。在第一寻址操作中，通过向每个存储单元施加具有相同极性的激活脉冲并记录输出电荷响应来读取一个或多个数据存储单元。基于此，输出数据在随后的第二寻址操作中被复制到该数据存储装置的另一段中的预置数据存储单元中，该另一段的选择是基于其先前的寻址历史。
-
-
公开(公告)号：CN101133460A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200580048829.8
申请日：2005-12-23
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22 , H01L24/48 , H01L27/11502 , H01L2224/05599 , H01L2224/48463 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要： 在基于驻极体或铁电材料的电可极化存储材料的存储器件的制造方法中，存储器件包括具有在印刷工艺中专门地或部分地提供的电路结构的一层或多层。至少一个保护夹层提供于存储器件中的至少两层之间，所述保护夹层对于该器件的其它层的沉积中采用的任何溶剂显示出低溶度以及低渗透性。在制造存储器件、尤其是无源矩阵可寻址存储器件中使用驻极体或铁电存储材料。
-
公开(公告)号：CN100342453C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN01822208.0
申请日：2001-11-27
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11C11/22 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L27/12 , B82Y10/00 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L51/0037
摘要： 本发明提供了一种铁电存储电路，包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元的第一和第二电极，由此所述单元的极化状态可以通过向所述电极施加电压来设置、转换以及检测，其特征在于所述电极中至少一个包括：至少一个接触层，所述至少一个接触层包含与所述存储单元接触的导电聚合物；以及与所述导电聚合物接触的金属薄膜的第二层，所述第二层是可选的，由此，所述电极中至少一个或者仅包括导电聚合物接触层或者包括导电聚合物接触层和金属薄膜层的组合。本发明还提供了相对应的铁电存储电路的制造方法。本发明可以改善采用铁电聚合物薄膜作为存储材料的铁电存储电路中的极化和转换特性。
-
公开(公告)号：CN101023526A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031326.X
申请日：2005-07-18
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , G11C11/22 , H01L21/28 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0021
摘要： 在有机电子电路，具体地说是存储电路中，提供一种电通路连接和关联的接触部件，与包含各种有机化合物的活性有机介电材料层对接。通路连接是提供在延伸过活性介电材料的通路开口中，并与其两侧的第一和第二电接触部件连接。第二接触部件包含直接沉积在活性介电层上的第一层化学惰性和不反应导电材料、以及作为第一层之上的第二层并在向下至第一接触部件的通路开口中提供的导电材料，创建穿过活性介电层的通路连接并连接第一和第二接触部件。在制造这种电通路连接和此类关联的接触部件的方法中，将第二接触部件中的第一层沉积在活性介电层上。第一层由化学惰性和不反应导电材料组成。通路开口形成为穿过第二接触部件的活性介电层，第二接触部件由沉积在第一层之上和通路开口中的导电材料组成，以建立通过它们的期望通路连接。
-
公开(公告)号：CN101015023A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580029279.5
申请日：2005-07-01
申请人： 薄膜电子有限公司
发明人： R·H·沃马克
CPC分类号： G11C29/832 , G11C11/22 , G11C29/04
摘要： 本发明公开了一种存储器，其由夹置于多个字导体和多个位线导体之间的电介质层构成。该电介质层包括铁电材料层的电介质层，并具有第一和第二表面。字导体位于该第一表面上。各个字导体连接到相应的字线驱动电路。位线导体位于该第二表面上。各个位线导体通过一个或多个断开开关连接到相应的位线驱动电路和相应的读出放大器。如果连接到断开开关的位线导体与字导体之一短路，则该断开开关设定为断开状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
120 条记录 (耗时 0.05 秒)