- 专利标题: 等离子体约束环、等离子体处理装置与基片处理方法
- 专利标题(英): Plasma confinement ring, plasma processing device and substrate processing method
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申请号: CN201510960587.5申请日: 2015-12-21
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公开(公告)号: CN106898534A公开(公告)日: 2017-06-27
- 发明人: 王兆祥 , 苏兴才
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海信好专利代理事务所
- 代理商 徐雯琼; 张静洁
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; H01L21/3065
摘要:
本发明公开了一种可提高等离子体处理全局均匀性的等离子体约束环、等离子体处理装置与处理方法。其中,该等离子体约束环包括呈环形的壁体,所述壁体所环绕的空间用于约束等离子体于其内,所述壁体包括:呈环形的内壁,由导体或半导体材料制成;呈环形的外壁,由电绝缘材料制成。
公开/授权文献
- CN106898534B 等离子体约束环、等离子体处理装置与基片处理方法 公开/授权日:2019-08-06