- 专利标题： 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法
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申请号： CN201710339975.0申请日： 2017-05-15
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公开(公告)号： CN107425413B公开(公告)日： 2021-12-28
- 发明人: 克里斯托夫·艾希勒 , 安德烈·佐默斯 , 贝恩哈德·施托耶茨 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 艾尔弗雷德·莱尔
- 申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址： 德国雷根斯堡
- 专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 德国雷根斯堡
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 丁永凡; 李建航
- 优先权： 102016108892.7 20160513 DE
- 主分类号： H01S5/323
- IPC分类号： H01S5/323 ; H01S5/343 ; H01L33/08 ; H01L33/28 ; H01L33/30 ; H01L33/32 ; H01L33/00
摘要：
提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。
公开/授权文献
- CN107425413A 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 公开/授权日：2017-12-01
