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公开(公告)号：CN111430526B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202010258853.0
申请日：2017-03-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
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公开(公告)号：CN110770985B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201880040771.X
申请日：2018-06-08
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
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公开(公告)号：CN109417275A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039226.4
申请日：2017-06-07
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明涉及一种半导体光源(1)，所述半导体光源包括激光器(2)和发光材料(3)。激光器(2)包括具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)的半导体本体(21)。在激光器(2)中构成具有谐振器镜(25)和纵轴线(24)的谐振器(23)。激光辐射(L)在运行时沿着纵轴线(24)引导和加强。有源区(22)至少部分地处于谐振器(23)中。发光材料(3)无间隙地光学耦合到谐振器(23)上，使得激光辐射(L)沿横向于纵轴线(24)的方向到达发光材料(3)中并且转换成具有更大波长的次级辐射(S)。
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公开(公告)号：CN107425413A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710339975.0
申请日：2017-05-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01S5/4087 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L27/153 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/026 , H01S5/1053 , H01S5/1096 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/32341 , H01S2304/00 , H01S5/32308 , H01L33/0062 , H01L33/0083 , H01L33/08 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01S5/34333
摘要： 提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。
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公开(公告)号：CN103797580A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044692.9
申请日：2012-07-30
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/48 , F21V5/007 , H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
摘要： 提出一种用于制造多个光电子器件（1）的方法，所述方法具有下述步骤：a）提供连接载体复合件（20）；b）将多个半导体芯片（3，31）设置在所述连接载体复合件（20）上；c）将具有多个开口（41）的框架复合件（40）相对于连接载体复合件（20）定位，使得将半导体芯片（3，31）分别设置在开口（41）中的一个中；d）将多个光学元件（5）相对于框架复合件（40）定位，使得光学元件遮盖开口；和e）将连接载体复合件连同框架复合件和光学元件分割成多个光电子器件，使得每个光电子器件具有带有至少一个光电子半导体芯片的连接载体（2）、带有至少一个开口的框架（4）和至少一个光学元件。此外提出一种光电子器件。
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公开(公告)号：CN110140264B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780081857.2
申请日：2017-12-21
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。
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公开(公告)号：CN111430526A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010258853.0
申请日：2017-03-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
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公开(公告)号：CN108884973B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201780017646.2
申请日：2017-03-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/50
摘要： 在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
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公开(公告)号：CN110770985A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880040771.X
申请日：2018-06-08
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
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公开(公告)号：CN110140264A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780081857.2
申请日：2017-12-21
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。
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