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公开(公告)号：CN108141010B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201680056018.0
申请日：2016-09-27
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
摘要： 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN109314367A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037676.X
申请日：2017-06-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 斯文·格哈德
摘要： 描述一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：制造多个并排设置的发射器(1，2)；检查发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且至少一个光学和/或电学特性在预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组；以及电接触第一发射器(1)，其中第二发射器(2)未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒(10)运行时不被供给电流。此外，提出一种可利用该方法制造的激光二极管棒(10)。
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公开(公告)号：CN108884973A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017646.2
申请日：2017-03-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
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公开(公告)号：CN111431030A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010165677.6
申请日：2016-09-27
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
摘要： 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN109659813A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811183129.5
申请日：2018-10-11
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 描述一种制造激光二极管条的方法，包括如下步骤：制造多个彼此并排设置的发射体，其中发射体分别具有半导体层序列，半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层、p型接触部和n型接触部；检查发射体的至少一个光学和/或电学特性，将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联；将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上；通过将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上来电接触第一发射体的p型接触部，其中通过电绝缘层将第二发射体的p型接触部与p型联接层电绝缘。此外，提出可借助该方法制造的激光二极管条。
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公开(公告)号：CN105122473B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201480020969.3
申请日：2014-03-28
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及种用于制造光电子半导体芯片的方法,所述方法包括下述步骤:提供衬底;生长第层;执行刻蚀过程以便铺设V形缺陷;生长第二层和生长量子膜结构。
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公开(公告)号：CN105122454B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201480020763.0
申请日：2014-03-24
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01L33/025 , H01L27/15 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/14 , H01L33/382
摘要： 本发明涉及一种光电子器件(101)，包括：载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域，所述第一掺杂浓度大于包含该区域的半导体层中的该区域的周围中的第二掺杂浓度。本发明还涉及一种用于制造光电子器件(101)的相应的方法。
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公开(公告)号：CN104685644A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050790.8
申请日：2013-09-24
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/58
摘要： 一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。
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公开(公告)号：CN108604623B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201780008191.8
申请日：2017-01-17
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种转换元件(1)，所述转换元件具有：有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在转换元件(1)的上侧(1a)上；和多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在有源区域(13)的背离多个第一结构元件(14)的侧上。此外，提出一种用于制造这种转换元件的方法。
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公开(公告)号：CN107611228B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710670010.X
申请日：2013-09-24
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。
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