- 专利标题: 包括在具有硼层的硅衬底上的场发射极阵列的光电阴极
- 专利标题(英): PHOTOCATHODE INCLUDING FIELD EMITTER ARRAY ON A SILICON SUBSTRATE WITH BORON LAYER
-
申请号: CN201680028700.9申请日: 2016-05-21
-
公开(公告)号: CN107667410A公开(公告)日: 2018-02-06
- 发明人: 勇-霍·庄 , 约翰·费尔登 , 银英·肖李 , 刘学峰
- 申请人: 科磊股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 62/164,975 2015.05.21 US
- 国际申请: PCT/US2016/033669 2016.05.21
- 国际公布: WO2016/187603 EN 2016.11.24
- 进入国家日期: 2017-11-17
- 主分类号: H01J1/304
- IPC分类号: H01J1/304 ; H01J1/308 ; H01J1/34 ; H01L27/148 ; H01L31/105 ; H01L31/107
摘要:
一种光电阴极利用一体地形成于硅衬底上的场发射极阵列FEA来增强光电子发射,且利用直接安置在所述FEA的输出表面上的薄硼层来阻止氧化。所述场发射极是通过具有安置成二维周期性图案的各种形状(例如,角锥体或经修圆晶须)的突出部形成,且可经配置而以反向偏置模式操作。任选栅极层经提供以控制发射电流。任选第二硼层形成于经照射(顶部)表面上,且任选抗反射材料层形成于所述第二硼层上。在相对的所述经照射表面与所述输出表面之间产生任选外部电位。通过特殊掺杂方案且通过施加外部电位而形成n型硅场发射极与p-i-n光电二极管膜的任选组合。所述光电阴极形成传感器及检验系统的部分。
公开/授权文献
- CN107667410B 包括在具有硼层的硅衬底上的场发射极阵列的光电阴极 公开/授权日:2019-12-10