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公开(公告)号：CN103975272B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201280059827.9
申请日：2012-10-05
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·庄 , 弗拉基米尔·德里宾斯基
IPC分类号： G02F1/35
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要： 本发明包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。
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公开(公告)号：CN107255897B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710438881.9
申请日：2012-10-05
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·庄 , 弗拉基米尔·德里宾斯基
摘要： 本发明是关于非线性光学晶体的钝化。本发明的一实施例包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。
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公开(公告)号：CN105829873A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069694.2
申请日：2014-12-18
申请人： 科磊股份有限公司
CPC分类号： G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , H01L27/14636 , H01L31/02 , H04N5/3577 , H04N5/3765
摘要： 本发明揭示一种高速检验样本的方法，所述方法包含：将辐射引导且聚焦到样本上；及接收来自所述样本的辐射且将所接收到的辐射引导到图像传感器。所述方法尤其包含使用预定信号驱动所述图像传感器。所述预定信号最小化所述图像传感器的输出信号的安定时间。所述预定信号由用于选择查找值的相位累加器控制。所述驱动可进一步包含加载初始相位值，选择所述相位累加器的最高有效位及将所述查找值转换为模拟信号。在一个实施例中，针对相位时钟的每一循环，可将相位增量添加到所述相位累加器。所述驱动可由定制波形产生器执行。
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公开(公告)号：CN105829873B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480069694.2
申请日：2014-12-18
申请人： 科磊股份有限公司
CPC分类号： G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , H01L27/14636 , H01L31/02 , H04N5/3577 , H04N5/3765
摘要： 本发明揭示一种高速检验样本的方法，所述方法包含：将辐射引导且聚焦到样本上；及接收来自所述样本的辐射且将所接收到的辐射引导到图像传感器。所述方法尤其包含使用预定信号驱动所述图像传感器。所述预定信号最小化所述图像传感器的输出信号的安定时间。所述预定信号由用于选择查找值的相位累加器控制。所述驱动可进一步包含加载初始相位值，选择所述相位累加器的最高有效位及将所述查找值转换为模拟信号。在一个实施例中，针对相位时钟的每一循环，可将相位增量添加到所述相位累加器。所述驱动可由定制波形产生器执行。
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公开(公告)号：CN107255897A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710438881.9
申请日：2012-10-05
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·庄 , 弗拉基米尔·德里宾斯基
摘要： 本发明是关于非线性光学晶体的钝化。本发明的一实施例包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。
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公开(公告)号：CN114389139A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210041743.8
申请日：2014-06-11
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本申请实施例涉及深紫外DUV连续波CW激光及产生DUV CW激光辐射的方法。一种深紫外DUV连续波CW激光包含：基波CW激光，其经配置以产生具有在约1μm与1.1μm之间的对应波长的基波频率；三次谐波产生器模块，其包含一或多个周期性极化的非线性光学NLO晶体，NLO晶体产生三次谐波及任选的二次谐波；及四次谐波产生器模块及五次谐波产生器中的一者。四次谐波产生器模块包含经配置以使基波频率与三次谐波组合以产生四次谐波的以基波频率谐振的腔。四次谐波产生器模块包含用于使基波频率与三次谐波组合以产生五次谐波的以基波频率谐振的腔或用于使二次谐波与三次谐波组合以产生五次谐波的以二次谐波频率谐振的腔。
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公开(公告)号：CN105379032B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201480039637.X
申请日：2014-06-11
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01S3/10
摘要： 一种深紫外DUV连续波CW激光包含：基波CW激光，其经配置以产生具有在约1μm与1.1μm之间的对应波长的基波频率；三次谐波产生器模块，其包含一或多个周期性极化的非线性光学NLO晶体，所述NLO晶体产生三次谐波及任选的二次谐波；及四次谐波产生器模块及五次谐波产生器中的一者。所述四次谐波产生器模块包含经配置以使所述基波频率与所述三次谐波组合以产生四次谐波的以所述基波频率谐振的腔。所述四次谐波产生器模块包含用于使所述基波频率与所述三次谐波组合以产生五次谐波的以所述基波频率谐振的腔或用于使所述二次谐波与所述三次谐波组合以产生所述五次谐波的以所述二次谐波频率谐振的腔。
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公开(公告)号：CN103975272A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059827.9
申请日：2012-10-05
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·庄 , 弗拉基米尔·德里宾斯基
IPC分类号： G02F1/35
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要： 本发明包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。
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公开(公告)号：CN107667410B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201680028700.9
申请日：2016-05-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/34 , H01L27/148 , H01L31/105 , H01L31/107
摘要： 一种光电阴极利用一体地形成于硅衬底上的场发射极阵列FEA来增强光电子发射，且利用直接安置在所述FEA的输出表面上的薄硼层来阻止氧化。所述场发射极是通过具有安置成二维周期性图案的各种形状(例如，角锥体或经修圆晶须)的突出部形成，且可经配置而以反向偏置模式操作。任选栅极层经提供以控制发射电流。任选第二硼层形成于经照射(顶部)表面上，且任选抗反射材料层形成于所述第二硼层上。在相对的所述经照射表面与所述输出表面之间产生任选外部电位。通过特殊掺杂方案且通过施加外部电位而形成n型硅场发射极与p‑i‑n光电二极管膜的任选组合。所述光电阴极形成传感器及检验系统的部分。
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公开(公告)号：CN107667410A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680028700.9
申请日：2016-05-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/34 , H01L27/148 , H01L31/105 , H01L31/107
摘要： 一种光电阴极利用一体地形成于硅衬底上的场发射极阵列FEA来增强光电子发射，且利用直接安置在所述FEA的输出表面上的薄硼层来阻止氧化。所述场发射极是通过具有安置成二维周期性图案的各种形状(例如，角锥体或经修圆晶须)的突出部形成，且可经配置而以反向偏置模式操作。任选栅极层经提供以控制发射电流。任选第二硼层形成于经照射(顶部)表面上，且任选抗反射材料层形成于所述第二硼层上。在相对的所述经照射表面与所述输出表面之间产生任选外部电位。通过特殊掺杂方案且通过施加外部电位而形成n型硅场发射极与p-i-n光电二极管膜的任选组合。所述光电阴极形成传感器及检验系统的部分。
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