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公开(公告)号：CN114097061B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202080040629.2
申请日：2020-06-03
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖李 , E·加西亚-贝里奥斯 , 约翰·费尔登
IPC分类号： H01J61/073 , H01J61/56
摘要： 本发明公开一种用于特征化系统的宽带紫外线照明源。所述宽带紫外线照明源包含：外壳，其具有一或多个壁，所述外壳经配置以容纳气体；及等离子体放电装置，其基于石墨烯‑电介质‑半导体(GOS)平面型结构。所述GOS结构包含具有顶表面的硅衬底、安置在所述硅衬底的所述顶表面上的电介质层及安置在所述电介质层的顶表面上的至少一层石墨烯。金属接点可形成在所述石墨烯层的所述顶表面上。所述GOS结构具有用于照明源中的若干优点，例如低操作电压(低于50V)、平面表面电子发射及与标准半导体工艺的兼容性。所述宽带紫外线照明源进一步包含放置在所述外壳内部的电极或放置在所述外壳外部的磁体以提高电流密度。
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公开(公告)号：CN115136274A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015569.3
申请日：2021-02-01
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
摘要： 本文中呈现用于实现基于高密度电子发射器阵列的高辐射X射线源的方法及系统。所述高辐射X射线源适合于半导体制造环境中的高通量X射线计量及检验。所述高辐射X射线源包含产生聚焦于小阳极区域上以产生高辐射X射线照明光的大电子电流的电子发射器阵列。在一些实施例中，跨所述电子发射器阵列的表面的电子电流密度是至少0.01安培/mm2，所述电子电流聚焦到具有小于100微米的最大范围尺寸的阳极区域上，且发射器之间的间距小于5微米。在另一方面中，发射电子从所述阵列加速到所述阳极以达到小于所要X射线发射线的能量的四倍的着陆能。
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公开(公告)号：CN115083876A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210691874.0
申请日：2017-10-12
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登 , 刘学峰 , 银英·肖李
IPC分类号： H01J37/317 , H01J1/304 , H01J37/04 , H01J37/073 , H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28
摘要： 本申请实施例涉及包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻。一种多柱电子束装置包含电子源，所述电子源包括制造在硅衬底的表面上的多个场发射器。为防止所述硅氧化，将薄的连续硼层直接安置在所述场发射器的输出表面上。所述场发射器可呈各种形状，包含锥体、圆锥或圆形晶须。可将任选栅极层放置在所述场发射器附近的所述输出表面上。所述场发射器可进行p型或n型掺杂。可将电路并入到晶圆中以控制发射电流。光源可经配置以照射所述电子源且控制所述发射电流。所述多柱电子束装置可为经配置以将图案写入在样本上的多柱电子束光刻系统。
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公开(公告)号：CN110062180B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910251964.6
申请日：2016-05-13
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H04N5/3722 , G01N21/956
摘要： 本申请涉及用于检查的具有电可控制孔径的传感器及计量系统。通过将更负控制电压施加到像素的电阻式控制栅极的中心区域及将更正控制电压施加到该栅极的端部分实现线性传感器中的像素孔径大小调整。这些控制电压引起该电阻式控制栅极产生电场，该电场将在像素的光敏区域的选定部分中产生的光电子驱动到电荷积累区域中以用于后续测量，且驱动在像素的光敏区域的其它部分中产生的光电子远离该电荷积累区域以用于后续舍弃或同时读出。系统利用光学器件以将以不同角度或在不同位置接收的光从样本引导到每一像素的光敏区域的对应不同部分中。多个孔径控制电极经选择性地致动以收集/测量从窄或宽角度或者位置范围接收的光，借此实现快速图像数据调整。
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公开(公告)号：CN110312925A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880009937.1
申请日：2018-02-03
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , V·埃斯凡迪亚普尔 , 约翰·费尔登 , 张百钢 , 银英·肖李
IPC分类号： G01N21/3563 , G01N21/95
摘要： 本发明揭示用于使用宽带红外辐射测量或检验半导体结构的系统及方法。所述系统可包含照明源，所述照明源包括经配置以产生泵浦光的泵浦源及经配置以响应于所述泵浦光而产生宽带IR辐射的非线性光学NLO组合件。所述系统还可包含检测器组合件及经配置以将所述IR辐射引导到样本上且将从所述样本反射及/或散射的所述IR辐射的一部分引导到所述检测器组合件的一组光学器件。
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公开(公告)号：CN109076179A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021422.9
申请日：2017-04-05
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 一种双列并行图像CCD传感器利用双列并行读出电路，所述双列并行读出电路包含两对交叉连接的转移门以在高速度下以低噪声将像素数据(电荷)从一对邻近像素列交替地转移到共享输出电路。沿着所述两个邻近像素列以线时钟速率转移的电荷通过所述转移门交替地传递到求和门，所述求和门以所述线时钟速率的两倍的速率操作以将所述图像电荷传递到所述共享输出电路。在一个实施例中，利用对称Y形扩散部来合并来自所述两个像素列的所述图像电荷。本发明也描述一种用线时钟同步来驱动所述双列并行CCD传感器的方法。本发明也描述一种使用所述双列并行CCD传感器来检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN107342526B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710397661.6
申请日：2012-06-28
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 弗拉基米尔·德里宾斯基 , 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约瑟夫·J·阿姆斯特朗 , 约翰·费尔登
摘要： 本发明揭示一种具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器。具体的，本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体可具有增加的长度。第一光束塑形光学器件可经配置以将来自光源的光束聚焦到位于所述晶体中或所述晶体接近处的光束腰处的椭圆形横截面。谐波分离块可将来自所述晶体的输出分成在空间上分离的不同频率的光束。在一个实施例中，所述锁模激光器系统可进一步包含第二光束塑形光学器件，其经配置以将椭圆形横截面的所要频率光束转换成具有例如圆形横截面的所要纵横比的光束。
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公开(公告)号：CN105191026B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480013519.1
申请日：2014-01-24
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , J·约瑟夫·阿姆斯特朗 , 弗拉基米尔·德里宾斯基 , 邓宇俊 , 约翰·费尔登
CPC分类号： H01S3/1083 , G01N21/84 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G02F1/3534 , G02F1/3536 , G02F1/39 , G02F2001/3507 , G02F2201/16 , H01S3/0078 , H01S3/0092 , H01S3/0602 , H01S3/067
摘要： 一种用于产生大约193.4nm的输出波长的激光器包含基波激光器、光学参数产生器、四次谐波产生器及混频模块。耦合到所述基波激光器的所述光学参数产生器可产生经下变频信号。可耦合到所述光学参数产生器或所述基波激光器的所述四次谐波产生器可产生四次谐波。耦合到所述光学参数产生器及所述四次谐波产生器的所述混频模块可产生处于等于所述四次谐波与所述经下变频信号的频率的两倍的和的频率的激光输出。
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公开(公告)号：CN105829873B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480069694.2
申请日：2014-12-18
申请人： 科磊股份有限公司
CPC分类号： G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , H01L27/14636 , H01L31/02 , H04N5/3577 , H04N5/3765
摘要： 本发明揭示一种高速检验样本的方法，所述方法包含：将辐射引导且聚焦到样本上；及接收来自所述样本的辐射且将所接收到的辐射引导到图像传感器。所述方法尤其包含使用预定信号驱动所述图像传感器。所述预定信号最小化所述图像传感器的输出信号的安定时间。所述预定信号由用于选择查找值的相位累加器控制。所述驱动可进一步包含加载初始相位值，选择所述相位累加器的最高有效位及将所述查找值转换为模拟信号。在一个实施例中，针对相位时钟的每一循环，可将相位增量添加到所述相位累加器。所述驱动可由定制波形产生器执行。
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公开(公告)号：CN115136274B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180015569.3
申请日：2021-02-01
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
摘要： 本文中呈现用于实现基于高密度电子发射器阵列的高辐射X射线源的方法及系统。所述高辐射X射线源适合于半导体制造环境中的高通量X射线计量及检验。所述高辐射X射线源包含产生聚焦于小阳极区域上以产生高辐射X射线照明光的大电子电流的电子发射器阵列。在一些实施例中，跨所述电子发射器阵列的表面的电子电流密度是至少0.01安培/mm2，所述电子电流聚焦到具有小于100微米的最大范围尺寸的阳极区域上，且发射器之间的间距小于5微米。在另一方面中，发射电子从所述阵列加速到所述阳极以达到小于所要X射线发射线的能量的四倍的着陆能。
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