发明授权
- 专利标题： 半导体装置的制造方法
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申请号： CN201711002107.X申请日： 2017-10-24
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公开(公告)号： CN108122880B公开(公告)日： 2022-10-28
- 发明人: 余振华 , 郭宏瑞 , 蔡惠榕 , 谢昀蓁
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 顾伯兴
- 优先权： 62/427,693 20161129 US 15/640,942 20170703 US
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498
摘要：
一种半导体装置的制造方法包括：在管芯上形成导电柱；使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及使用多个刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述多个刻蚀工艺包括第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述导电柱进行刻蚀。
公开/授权文献
- CN108122880A 半导体装置的制造方法 公开/授权日：2018-06-05
IPC分类:
