发明公开
- 专利标题: 一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其低温制备方法
- 专利标题(英): (CoCrCuNiAl)O entropy-stabilizing oxidant and low-temperature preparation method thereof
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申请号: CN201810241101.6申请日: 2018-03-22
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公开(公告)号: CN108529689A公开(公告)日: 2018-09-14
- 发明人: 张金咏 , 尚珊珊 , 张帆 , 王为民 , 傅正义 , 王玉成
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 邬丽明; 官群
- 主分类号: C01G53/04
- IPC分类号: C01G53/04
摘要:
本发明涉及一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其制备方法,所述(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物由Co、Cr、Cu、Ni、Al和O元素组成;所述(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物为单一尖晶石晶型,其空间群为Fd-3m。本发明提供了一种新型的熵稳定氧化物材料,即(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物,并且本发明提供的(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物采用低温液相法在相对较低温的条件下制备得到,煅烧温度为300±50℃,制备过程能耗低。
IPC分类: