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公开(公告)号：CN115029598A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210776812.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于梯度材料技术领域，具体提供了一种ZrB2‑Mo梯度材料及制备方法，其中ZrB2‑Mo梯度材料包括两端的富ZrB2陶瓷和富Mo金属层，中间为具有梯度渐变组分的ZrB2/Mo多层复合材料层，且采取一体成型的方法烧结制备；各所述ZrB2/Mo多层复合材料层中的梯度渐变组分采用函数进行组分的分布设计。该方案制备的ZrB2‑Mo梯度材料与均质ZrB2/Mo复合材料相比，在相同的烧蚀环境下，能够更好地保持完整性，避免灾难性损伤，有效地缓解了陶瓷材料和金属材料之间因热膨胀系数差异引起的热应力，抗热冲击烧蚀性能大大提高。
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公开(公告)号：CN108380892B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810290496.9
申请日：2018-04-03
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷/高熵合金叠层材料及其制备方法。该叠层材料包括陶瓷面板和与陶瓷面板叠放的高熵合金层，陶瓷面板和高熵合金层叠放的区域具有陶瓷金属界面层，陶瓷面板材料为氧化物、硼化物、氮化物、碳化物或硅化物中的一种单相陶瓷材料或者两种以上组合的复相陶瓷材料，高熵合金层由Co、Cr、Fe、Ni、Al、Mn、Mo、Ti、Cu、Zn、Si、Sn、W、Ga或Sr中的四种或四种以上元素形成。本发明制备的陶瓷/高熵合金叠层材料与传统的粘接方法制备的叠层结构材料相比，在相同的面密度下，抗高能冲击性能和抗二次冲击能力均大大提高。
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公开(公告)号：CN108687351A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810419911.6
申请日：2018-05-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉一种B4C‑HEAs梯度材料及其制备方法。该梯度材料由N层材料烧结为一体结构，其中N≥5，N层材料自上而下由富陶瓷层通过多个中间层逐步过渡到富金属层，每层的HEAs质量呈梯度上升变化，所述HEAs是由机械合金方法制备的合金粉末，所述富陶瓷层的HEAs含量为1wt％～50wt％，硅的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C；所述富金属层的HEAs含量为50wt％～100wt％，硅的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C。本发明的制备方法包括混料步骤、分段烧结步骤和连接步骤。本发明分段烧结梯度材料，每层都具有高致密度，再将几段少层梯度材料连接成多层梯度材料，材料整体梯度结构更加丰富，显著降低烧结温度，减少烧结成本；所制备的材料整体强度高、各层致密度高、界面连接好且具有明显梯度形貌和性质变化。
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公开(公告)号：CN104250020B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410495360.3
申请日：2014-09-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种球霰石型碳酸钙微纳米分级结构及其无添加剂制备方法，所述球霰石型碳酸钙微纳米分级结构为介孔纳米片组装而成的微米颗粒，所述介孔纳米片由球霰石型碳酸钙纳米粒子组装而成，纳米粒子粒径为30～40nm，介孔纳米片厚度为30～40nm，介孔纳米片中纳米粒子间孔径为30～40nm，介孔纳米片组装而成的微米颗粒粒径为3.5～5μm。本发明的制备体系中不添加额外的有机或无机模板剂，具有工艺简单，成本低廉且重复性好的优势，并且制备的碳酸钙材料形貌均一、纯度高、比表面积大且孔隙率高。
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公开(公告)号：CN104529421A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410740177.5
申请日：2014-12-08
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/185 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种细晶莫来石陶瓷的制备方法。通过溶胶-凝胶法制备莫来石前驱体粉，然后利用放电等离子快速升温工艺进行烧结，在烧结过程中通过改变烧结的升温速率和保温时间，在控制晶粒生长的前提下实现致密化，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。本发明的技术要点是，找到合适的升温速率、升温速率温度转折点以及保温时间，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。该制备方法工艺简单，成本低，烧结时间短，制备出的莫来石陶瓷晶粒细小，致密度高，红外透过率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104263980A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410472132.4
申请日：2014-09-16
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法，首次采用自蔓延高温合成快速加压法制备高性能ZrNiSn块体热电材料，克服了自蔓延高温合成快速加压技术仅适用于陶瓷、叠层材料及梯度材料等结构材料的技术偏见，具有制备时间超短、工艺简单，节能，性能优越，适合规模化生产等优点。
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公开(公告)号：CN103274679A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310194775.2
申请日：2013-05-23
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于陶瓷材料的制备技术领域。一种铝酸钇陶瓷粉体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）制备干凝胶：将六水合硝酸钇和九水合硝酸铝按摩尔比为3:5混合，再加入一水合柠檬酸，其中金属离子与柠檬酸的摩尔比为3:1～1:2，得到干凝胶；2）制备前驱体粉体:将干凝胶以1～6°C/min的升温速率，在400℃保温24h，在740～770°C的保温24～36h，得到前驱粉体；3）球磨前驱粉体：采用行星球磨球磨前驱粉体2h～6h；4）制备YAH陶瓷团聚粉体：使其以50～300°C/min的升温速率加热到770～870°C的温度，保温0～10min，得到YAH陶瓷团聚粉体；5）研磨：得到铝酸钇陶瓷粉体。该方法可缩短反应合成时间，获得单相、粒度均匀、细小的铝酸钇陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN101851098B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010181283.6
申请日：2010-05-18
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种半透明Li-α-SiAlON陶瓷材料的快速制备方法，包括如下步骤：按通式LimSi12-m-nAlm+nOnN16-n，其中0.4＜m＜2.0，0.8＜n＜2.0选取α-Si3N4、AlN、α-Al2O3和Li2CO3原料混合，球磨干燥，研磨，过100目筛；在烧结压力不小于20MPa和N2气保护下，于放电等离子烧结炉中，升温至950～1050℃保温1～3min，然后升至1600～1850℃烧结0～20min，随炉冷却；切割、研磨、抛光至镜面即得。其采用放电等离子烧结方法，工艺简单，升温速度快，烧结温度低，时间短，能耗低；制得的半透明Li-α-SiAlON陶瓷材料红外透光性能优异。
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公开(公告)号：CN102731110A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210226770.9
申请日：2012-07-03
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/624 , C04B35/563
Abstract: 本发明涉及一种快速制备碳化硼陶瓷粉体的方法。快速制备碳化硼陶瓷粉体的方法，其特征在于它包括如下步骤：1）原料的选取：按硼酸三甲酯与蔗糖的物质量比为12:1～12:3；硼酸三甲脂、甲醇、螯合剂乙酸、水的体积比为6:40:1:1～6:80:2:4选取原料；按蔗糖与溶剂乙酸的配比＝(7～8）g:50mL，选取溶剂乙酸；2）干凝胶粉的制备；3）前驱体粉的制备；4）前驱体粉的热处理。在高的升温速率和短的保温时间条件下进行碳热还原反应，将碳化硼粉体的碳热合成过程缩短到几十分钟甚至几分钟，且无需后续除碳工艺，获得高纯、微细、烧结性能好的碳化硼陶瓷粉体。通过X射线衍射分析为单一碳化硼物相，产物中游离碳含量为1%～3%之间；晶粒均匀细小，平均粒径小于500nm。
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公开(公告)号：CN102531657A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210002022.2
申请日：2012-01-05
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种短切碳纤维增强TiB2-碳复合材料的制备方法。一种制备TiB2-Csf-碳复合材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)Csf的表层除胶预处理：将短切碳纤维与丙酮混合；2)按各原料所占的重量百分数为：TiB2粉：67.2～75wt％、石墨粉：22.2～30wt％、处理后的短切碳纤维：2.8～3.2wt％；称取；3)超声分散、球磨、干燥，过筛，得到混合均匀的粉末；4)将混合均匀的粉末放入石墨模具中，烧结，得到TiB2-Csf-碳复合材料。该制备方法工艺简单、成本低，本发明制备的TiB2-Csf-碳复合材料，在不改变TiB2-碳复合材料导电性，相对密度，抗弯强度等性能指标的前提下，使其断裂韧性提高了40％，可应用于铝电解槽内惰性可润湿性阴极材料。
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