本发明公开了一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片的制作方法，包括：在晶圆基片上沉积二氧化硅层，晶圆基片划分为有源区和栅极区；向有源区注入N型杂质；在栅极区的指定位置形成沟槽；对注入的N型杂质扩散形成N阱区；向N阱区注入P型杂质；刻蚀二氧化硅层；热氧化形成沟槽栅和平面栅的栅氧化层，同时对P型杂质扩散形成P阱区；通过多晶硅工艺形成以折叠方式连接在一起的沟槽栅极和平面栅极作为共用栅极；多晶硅氧化；有源区表面氧化层刻蚀，形成部分N+掺杂区和P+掺杂区；沉积一层金属层连接沟槽栅有源区和平面栅有源区作为共用源极。本发明可有效避免N阱区和P阱区的杂质扩散至沟槽另一侧而对栅极区造成不必要的影响。