发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其形成方法
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申请号： CN201710310685.3申请日： 2017-05-05
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公开(公告)号： CN108807512B公开(公告)日： 2021-06-04
- 发明人: 林鑫成 , 胡钰豪 , 林文新 , 吴政璁 , 马洛宜·库马
- 申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 郭晓宇; 汤在彦
- 主分类号： H01L29/36
- IPC分类号： H01L29/36 ; H01L29/66 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明提出一种半导体装置及其形成方法，其中半导体装置包含具有第一导电类型的半导体基底，以及设置于半导体基底内的第一阱，其中第一阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含设置于半导体基底内和第一阱下的埋置层，其中埋置层具有第一导电类型且接触第一阱。半导体装置更包含设置于半导体基底上的源极电极、漏极电极和栅极结构，其中栅极结构位于源极电极和漏极电极之间。
公开/授权文献
- CN108807512A 半导体装置及其形成方法 公开/授权日：2018-11-13
IPC分类:
