发明授权

太阳能电池的制造方法
摘要:
本发明提供一种CIS太阳能电池的制造方法,其包括:准备层状构件的工序,所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层,在第一温度以上的条件下将CIS层成膜于第一电极层上,并在CIS层上形成第二电极层而成的;使层状构件的温度成为比第一温度低的第二温度的工序;在第二电极层上形成固体状态下的线膨胀系数比基板大的层形成物质的层的工序;和将层状构件冷却的工序,随着由层状构件的冷却实现的层形成物质的层的收缩,使CIS层从第一电极层剥离,得到薄膜状CIS太阳能电池。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/06 ..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/072 ...只是PN异质结型势垒的
H01L31/0749 ....包括AIBIIICVI化合物,例如CdS/CuInSe2〔CIS〕的异质结太阳能电池
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