发明授权
- 专利标题： 具有存储单元的集成电路及其产生方法
-
申请号： CN201810652382.4申请日： 2018-06-22
-
公开(公告)号： CN109390370B公开(公告)日： 2023-08-01
- 发明人: 布山·巴拉特 , 陈元文 , 岑柏湛 , 蒋懿 , 易万兵
- 申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 申请人地址： 新加坡,新加坡城
- 专利权人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡,新加坡城
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 主分类号： H10B61/00
- IPC分类号： H10B61/00 ; H10N50/01
摘要：
本发明涉及具有存储单元的集成电路及其产生方法，所提供的是集成电路及其产生方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括具有埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且存储单元下伏于该埋置型绝缘体层。如此，该存储单元与该晶体管位在该埋置型绝缘体层的相反面上。
公开/授权文献
- CN109390370A 具有存储单元的集成电路及其产生方法 公开/授权日：2019-02-26
