公开(公告)号：CN110021701B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201811479247.0

申请日：2018-12-05

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 布山·巴拉特 ,  谭宇邦 ,  岑柏湛 ,  易万兵

IPC分类号： H10N50/01 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00 ,  H01L23/552

摘要： 本发明涉及STT‑MRAM覆晶磁屏蔽及其制造方法，提供数种在覆晶封装件内磁屏蔽垂直STT‑MRAM结构的所有六面的方法及所产生的装置。数个具体实施例包括：在晶圆的上表面及铝焊垫的外部上方形成钝化堆栈；在该钝化堆栈上方形成聚合物层；在该铝焊垫、该聚合物层的数个部分上方且沿着该聚合物层的侧壁形成UBM层；在该UBM层上方形成T形铜柱；在该T形铜柱上方形成μ‑凸块；将该晶圆切成多个晶粒；在各晶粒的底面上方形成环氧树脂层；在该环氧树脂层上方且沿着各晶粒、该环氧树脂层、该钝化堆栈及该聚合物层的侧壁形成磁屏蔽层；以及使该μ‑凸块连接至具有数个BGA球的封装衬底。

公开(公告)号：CN109390370B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201810652382.4

申请日：2018-06-22

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 布山·巴拉特 ,  陈元文 ,  岑柏湛 ,  蒋懿 ,  易万兵

IPC分类号： H10B61/00 ,  H10N50/01

摘要： 本发明涉及具有存储单元的集成电路及其产生方法，所提供的是集成电路及其产生方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括具有埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且存储单元下伏于该埋置型绝缘体层。如此，该存储单元与该晶体管位在该埋置型绝缘体层的相反面上。

公开(公告)号：CN110021701A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811479247.0

申请日：2018-12-05

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 布山·巴拉特 ,  谭宇邦 ,  岑柏湛 ,  易万兵

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L23/552

摘要： 本发明涉及STT-MRAM覆晶磁屏蔽及其制造方法，提供数种在覆晶封装件内磁屏蔽垂直STT-MRAM结构的所有六面的方法及所产生的装置。数个具体实施例包括：在晶圆的上表面及铝焊垫的外部上方形成钝化堆栈；在该钝化堆栈上方形成聚合物层；在该铝焊垫、该聚合物层的数个部分上方且沿着该聚合物层的侧壁形成UBM层；在该UBM层上方形成T形铜柱；在该T形铜柱上方形成μ-凸块；将该晶圆切成多个晶粒；在各晶粒的底面上方形成环氧树脂层；在该环氧树脂层上方且沿着各晶粒、该环氧树脂层、该钝化堆栈及该聚合物层的侧壁形成磁屏蔽层；以及使该μ-凸块连接至具有数个BGA球的封装衬底。

公开(公告)号：CN109390370A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810652382.4

申请日：2018-06-22

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 布山·巴拉特 ,  陈元文 ,  岑柏湛 ,  蒋懿 ,  易万兵

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及具有存储单元的集成电路及其产生方法，所提供的是集成电路及其产生方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括具有埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且存储单元下伏于该埋置型绝缘体层。如此，该存储单元与该晶体管位在该埋置型绝缘体层的相反面上。