发明公开
- 专利标题: 掩膜板及成膜方法
- 专利标题(英): MASK PLATE AND FILM FORMATION METHOD
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申请号: CN201810788659.6申请日: 2018-07-18
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公开(公告)号: CN109423602A公开(公告)日: 2019-03-05
- 发明人: 三上瞬 , 中尾裕利 , 田宫慎太郎 , 朝比奈伸一
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京英特普罗知识产权代理有限公司
- 代理商 齐永红
- 优先权: 2017-168211 2017.09.01 JP
- 主分类号: C23C14/04
- IPC分类号: C23C14/04 ; C23C14/24
摘要:
本发明提供一种掩膜板,其在通过磁铁阵列的吸引力将掩膜板紧密贴合在基板的下表面以使基板(Sw)夹隔在接触板(Tp)和掩膜板(MP)之间时,可尽量抑制在图案掩膜部(1)的透孔(11)周边的突起,并可防止已形成的薄膜上发生掩膜失效。本发明的掩膜板(MP)具有:图案掩膜部(1),其由以规定的图案开设并贯通板厚度方向的多个透孔(11)构成;以及遮挡部(2),其位于图案掩膜部的周围。至少在磁铁的并列设置方向上与图案掩膜部相邻的遮挡部的部分(21)形成为与图案掩膜部的磁导率相同。
公开/授权文献
- CN109423602B 掩膜板及成膜方法 公开/授权日:2019-09-20