发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其形成方法
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申请号： CN201810509842.8申请日： 2018-05-24
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公开(公告)号： CN110534525B公开(公告)日： 2022-04-19
- 发明人: 张峰溢 , 童宇诚 , 李甫哲 , 林盈志
- 申请人： 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市;
- 专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市;
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H01L27/11565
- IPC分类号： H01L27/11565 ; H01L27/11568
摘要：
本发明公开一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包含基底与材料层。基底具有第一区域，材料层则是设置在基底上。材料层包含呈阵列排列的多个第一图案、多个第二图案与两个第三图案，其中，第一图案设置在第一区域，第二图案设置在第一区域的两相对外侧，而第三图案设置在第一区域的另两相对外侧且部分合并于部分的各个第一图案与部分的各个第二图案。
公开/授权文献
- CN110534525A 半导体装置及其形成方法 公开/授权日：2019-12-03
IPC分类:
