发明授权
- 专利标题： 半导体器件和半导体制造的方法
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申请号： CN201910816465.7申请日： 2019-08-30
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公开(公告)号： CN110875190B公开(公告)日： 2023-09-19
- 发明人: 吴以雯 , 李振铭 , 杨复凯 , 王美匀 , 林俊安 , 吕伟元 , 王冠人 , 王鹏
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
半导体制造的方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有衬底以及位于衬底之上的第一、第二、第三和第四鳍。该方法还包括在第一和第二鳍上形成n型外延源极/漏极(S/D)部件，在第三和第四鳍上形成p型外延S/D部件，以及对半导体结构实施选择性蚀刻工艺以去除n型外延S/D部件和p型外延S/D部件的上部，使得从n型外延S/D部件比从p型外延S/D部件去除更多。本发明的实施例还涉及半导体器件。
公开/授权文献
- CN110875190A 半导体器件和半导体制造的方法 公开/授权日：2020-03-10
IPC分类:
