发明授权
- 专利标题： 用钴填充基板特征的方法与设备
-
申请号： CN201880061451.2申请日： 2018-09-18
-
公开(公告)号： CN111133558B公开(公告)日： 2024-04-02
- 发明人: 侯文婷 , 雷建新 , 李靖珠 , 陶荣
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 国际申请： PCT/US2018/051509 2018.09.18
- 国际公布： WO2019/060296 EN 2019.03.28
- 进入国家日期： 2020-03-20
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/02 ; H01L21/285 ; C23C14/24 ; H01L21/324 ; C23C16/44 ; H01L21/67
摘要：
于此提供了用于用钴填充特征的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括：经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在基板中的特征内沉积第一钴层；及通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将第一钴层的一部分回流到特征中而至少部分地用钴或含钴材料填充特征。PVD腔室可被构造成从设置在PVD腔室中的钴靶材同步地沉积钴或含钴材料在特征内。
公开/授权文献
- CN111133558A 用钴填充基板特征的方法与设备 公开/授权日：2020-05-08
IPC分类:
