本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备。涉及半导体技术领域，以降低源极或漏极的串联电阻和接触电阻，提高半导体器件性能。所述半导体器件包括衬底、有源层、源极、漏极和栅堆叠结构；其中，有源层形成在衬底的表面；有源层具有第一面状有源部、第二面状有源部以及用于连接的至少一条鳍状有源部；源极覆盖在第一面状有源部背离衬底的表面；漏极覆盖在第二面状有源部背离衬底的表面；栅堆叠结构形成在至少一条鳍状有源部和衬底上。所述半导体器件的制备方法用于制备所述半导体器件。所述集成电路包括上述半导体器件。本发明提供的半导体器件用于电子设备。