本发明公开了一种用于高导热氮化硅陶瓷基板的表面金属化方法及其封装基板，包括下述步骤：对高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜进行离子轰击表面活化处理；采用真空磁控溅射方式，在活化的高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜的表面沉积纳米级厚度的金属层；将沉积金属层的高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜置于真空环境下相互贴合，并施加压力，实现室温直接键合。本发明方法制备得到的封装基板，其结构自上而下依次为无氧铜层、纳米金属层、高导热氮化硅陶瓷基板。本发明通过真空磁控溅射金属化技术，实现了高导热氮化硅陶瓷基板与无氧铜的室温键合，降低了高温引起的应力问题，能够有效提高功率器件的可靠性及使用寿命。