本发明公开了一种基于二维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制作方法，主要解决现有二端钙钛矿突触器件模拟突触行为不准确的问题，其自下而上，包括玻璃衬底(1)、透明氧化物栅电极(2)、钙钛矿区(3)、源电极(4)、漏电极(5)和封装保护层(6)。该离子介质层采用三维钙钛矿材料，导电沟道层采用二维钙钛矿材料；利用三维钙钛矿材料中离子迁移形成的电场以调制二维钙钛矿材料中的载流子输运；器件栅极模拟突触前膜作输入端；器件源漏模拟突触后膜以读取突触后电流，本发明能同时调节载流子输运和栅控两个过程，实现对源漏电流的调控，提升突触晶体管对突触行为模拟的准确性，可用于模拟人类神经突触，构建神经网络系统。