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公开(公告)号：CN111628078A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010487655.1
申请日：2020-06-02
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于二维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制作方法，主要解决现有二端钙钛矿突触器件模拟突触行为不准确的问题，其自下而上，包括玻璃衬底(1)、透明氧化物栅电极(2)、钙钛矿区(3)、源电极(4)、漏电极(5)和封装保护层(6)。该离子介质层采用三维钙钛矿材料，导电沟道层采用二维钙钛矿材料；利用三维钙钛矿材料中离子迁移形成的电场以调制二维钙钛矿材料中的载流子输运；器件栅极模拟突触前膜作输入端；器件源漏模拟突触后膜以读取突触后电流，本发明能同时调节载流子输运和栅控两个过程，实现对源漏电流的调控，提升突触晶体管对突触行为模拟的准确性，可用于模拟人类神经突触，构建神经网络系统。
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公开(公告)号：CN113889540B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010625056.1
申请日：2020-07-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/054 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种双面无机半透明CsPbBr3薄膜钙钛矿太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括透明衬底以及依次层叠在所述透明衬底上的第一光学耦合层、第一金属透明电极、第一传输层、CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层、第二金属透明电极和第二光学耦合层。该钙钛矿太阳电池的电极采用全金属透明电极且电池为双面无机半透明太阳电池，提升了太阳光谱短波段光的利用效率，能够提升光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电以及用作硅叠层电池的顶电池来提高硅太阳电池的发电效率。
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公开(公告)号：CN113964225A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010699948.6
申请日：2020-07-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/043 , H01L31/0745 , H01L31/0725 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种低成本高可靠四端CsPbBr3/Si叠层太阳电池及其制作方法，该叠层太阳电池包括硅底电池和位于其上的CsPbBr3钙钛矿顶电池，硅底电池和CsPbBr3钙钛矿顶电池之间存在空气间隙，其中，CsPbBr3钙钛矿顶电池包括自上而下依次层叠的第一透明电极、第一传输层、CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层、第二透明电极和光学耦合层。本发明的低成本高可靠四端CsPbBr3/Si叠层太阳电池，将CsPbBr3钙钛矿顶电池与硅底电池以机械方式组合在一起，形成机械叠层电池，由于使用机械叠层方式避免了顶电池与底电池之间的工艺冲突，也避免了因为制备顶电池而损伤底部硅电池。
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公开(公告)号：CN111628078B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010487655.1
申请日：2020-06-02
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于二维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制作方法，主要解决现有二端钙钛矿突触器件模拟突触行为不准确的问题，其自下而上，包括玻璃衬底(1)、透明氧化物栅电极(2)、钙钛矿区(3)、源电极(4)、漏电极(5)和封装保护层(6)。该离子介质层采用三维钙钛矿材料，导电沟道层采用二维钙钛矿材料；利用三维钙钛矿材料中离子迁移形成的电场以调制二维钙钛矿材料中的载流子输运；器件栅极模拟突触前膜作输入端；器件源漏模拟突触后膜以读取突触后电流，本发明能同时调节载流子输运和栅控两个过程，实现对源漏电流的调控，提升突触晶体管对突触行为模拟的准确性，可用于模拟人类神经突触，构建神经网络系统。
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公开(公告)号：CN113889540A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010625056.1
申请日：2020-07-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/054 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种双面无机半透明CsPbBr3薄膜钙钛矿太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括透明衬底以及依次层叠在所述透明衬底上的第一光学耦合层、第一金属透明电极、第一传输层、CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层、第二金属透明电极和第二光学耦合层。该钙钛矿太阳电池的电极采用全金属透明电极且电池为双面无机半透明太阳电池，提升了太阳光谱短波段光的利用效率，能够提升光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电以及用作硅叠层电池的顶电池来提高硅太阳电池的发电效率。
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