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公开(公告)号：CN117673138A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311697067.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种多级槽终端耐压结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上表面设置有N个第一凹槽，N＞1；源极和漏极分别设置于AlGaN势垒层上表面的两端；介质层设置于AlGaN势垒层、源极和漏极上；栅极设置于介质层上，且N个第一凹槽和N个第二凹槽位于栅极和漏极之间。本发明的GaN HEMT器件在保证器件性能的同时，进一步通过重新分配栅极靠近漏极的高电场来延缓雪崩过程，提高GaN基功率器件的工作电压。
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公开(公告)号：CN118234337A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410145708.X
申请日：2024-02-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三结钙钛矿‑铜铟镓硒叠层电池及其制备方法，制备方法包括：制备铜铟镓硒作为底部电池，在其上制备中间透光导电层和两结钙钛矿电池作为顶部电池组成三结钙钛矿‑铜铟镓硒叠层电池，制备过程中：选用的两结钙钛矿电池的吸光层和铜铟镓硒电池的吸光层引入了十二烷基苯磺酸铵，使其可以采用全刮涂法制备，实现大面积柔性叠层制备。本发明提出的钙钛矿‑铜铟镓硒叠层电池的制备方法，可以实现高效、稳定、可柔性、可大面积制备的三结钙钛矿‑铜铟镓硒叠层太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117729822B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410172080.2
申请日：2024-02-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于气相离子掺杂的大面积钙钛矿太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，方法包括：依据已准备的ITO导电玻璃中ITO导电层的深度刻划多个P1线；在ITO导电层表面沉积第一电荷传输层；在第一电荷传输层表面采用双风刀气相离子掺杂方法制备钙钛矿层；在钙钛矿层表面沉积第二电荷传输层；对第二电荷传输层、钙钛矿层和第一电荷传输层刻划P2线，在刻划后的第二电荷传输层表面及刻划后暴露出的ITO导电层表面沉积金属电极层；依据金属电极层深度刻划P3线完成钙钛矿太阳电池制备；本发明能解决大面积钙钛矿薄膜均匀性及质量问题，并解决涂覆前添加剂加入钙钛矿前驱体溶液造成的络合物沉淀及溶液稳定性下降问题。
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公开(公告)号：CN116936613B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311201390.4
申请日：2023-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/365 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN117794270A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410012265.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种散热型全刮涂钙钛矿光伏组件的制备方法，主要解决现有平方米级钙钛矿光伏组件不能进行横向散热及热稳定性差的问题。其自下而上包括：透明玻璃衬底、透明氧化物底电极，透明氧化物底电极内刻蚀的第一间隔空隙、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层，该空穴传输层与电子传输层之间刻蚀有两个平行的第二间隔空隙和第三间隔空隙，该第二间隔空隙的边缘及电子传输层的上部设有顶电极层，该顶电极层的上方设有纵向散热层，该第二间隔空隙和第三间隔空隙内均设有横向散热层，且横向散热层与纵向散热层的材料均采用掺杂金刚石纳米颗粒的甲苯溶液。本发明同时提高了钙钛矿太阳电池组件的纵横向导热能力及热稳定性，可用作为太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117750794A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410194116.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种马赛克钙钛矿‑晶硅太阳电池组件及其制备方法，组件包括：钙钛矿太阳电池层、晶硅太阳电池层和互连背板，其中，钙钛矿太阳电池层包括呈阵列分布的若干钙钛矿太阳电池单元；晶硅太阳电池层包括若干电极导电单元，若干电极导电单元一一对应的电学耦合在若干钙钛矿太阳电池单元上，部分电极导电单元靠近钙钛矿太阳电池单元的一侧电学耦合有晶硅太阳电池以形成马赛克图案，晶硅太阳电池与钙钛矿太阳电池单元之间光学耦合；互连背板表面的互连结构与若干电极导电单元电学耦合。该组件中，晶硅太阳电池可以相对自由地与任意钙钛矿太阳电池单元进行光学耦合，大大提升了马赛克图案设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN115207143B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210621968.0
申请日：2022-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/043 , H01L31/05 , H01L31/18 , H10K30/50 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种MXene互联层的钙钛矿/Si两端机械叠层太阳电池及其制备方法，包括：钙钛矿太阳电池、单晶硅太阳电池和MXene互联层；钙钛矿太阳电池包括自下而上分布的ITO衬底、SnO2电子传输层、钙钛矿光活性层、Spiro空穴传输层、MoOx传输缓冲层、IZO导电层和Ag电极，ITO衬底的第一表面包括阴极；互联层位于Ag电极远离ITO衬底的一侧，单晶硅太阳电池位于互联层远离ITO衬底的一侧，且单晶硅太阳电池包括阳极。本发明以机械堆叠的方式实现钙钛矿顶电池与Si底电池大的电学互联与光学耦合，减少了单晶硅太阳电池的效率损伤，有利于提高叠层电池的效率。此外，采用MXene材料作为互联层，使得单晶硅太阳电池与钙钛矿太阳电池键合更紧密，降低了叠层电池的光学、电学寄生损失。
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公开(公告)号：CN116761441A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210214450.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法，有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池包括依次层叠的透明电极层、第一传输层、有机/钙钛矿三元混合吸光层、第二传输层和金属电极层，其中，所述有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料混合的体异质结结构。该薄膜太阳电池中，有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料结合三元体系，提升了太阳电池有源层对太阳光谱600～800nm波长内光子的利用效率，从而增加了吸光层的吸光范围和吸光强度，避免了纯有机光伏器件的波段跳跃性吸光，提升了太阳光谱利用率，提高了器件光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电。
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公开(公告)号：CN116669437A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210152508.8
申请日：2022-02-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、雾化沉积的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气化学沉积法生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够减少CsPbBr3薄膜的缺陷，提高薄膜结晶度，减少电荷复合，能够提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116110786A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211607698.4
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种提高阈值电压稳定性及栅耐压的GaN HEMT器件及制备方法，方法包括：在衬底层层叠生长缓冲层、沟道层、势垒层、第一钝化层；在势垒层两端之上制备源极和漏极；在暴露的势垒层上制备p型SnO层；在p型SnO层上制备n型SnO2层；利用ICPCVD工艺制备第二钝化层；刻蚀掉中间部分的第二钝化层，以暴露部分n型SnO2层，并在暴露的n型SnO2层上制备栅极。本发明通过在p型SnO层上生长一层n型SnO2层的方式，成功缓解了GaN HEMT器件面临的阈值电压不稳定性问题和栅耐压较低的问题。
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