本发明公开了一种碳化硅维也纳整流器半桥模块的封装结构，属于功率半导体器件技术领域。包括功率单元和绝缘基板；功率单元包括二极管整流上下桥臂和双向开关桥臂；双向开关桥臂包括共源极串联的第一、第二碳化硅MOSFET芯片；绝缘基板的表面铜层包括正极金属层、负极金属层、输入金属层、输出金属层、双向开关功率共源极金属层、驱动金属层和热敏电阻金属层；二极管整流上桥臂位于正极金属层，二极管整流下桥臂和第一碳化硅MOSFET芯片位于输入金属层，第二碳化硅MOSFET芯片位于输出金属层。本发明减小了换流回路中的寄生电感和从而减小开关损耗，更适用于高频化应用；功率开关管芯片的驱动采用Kelvin连接，增强了驱动的稳定性。