本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构。包括：叠放设置的多晶硅、N型阱区、P型阱区、硅膜层、埋氧层和硅衬底层；硅膜层中沿左右方向相邻设置有N型阱区和P型阱区；N型阱区的顶部和P型阱区的顶部均接触多晶硅的底部；N型阱区的上部从左到右依次设置有第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和超浅沟槽隔离区；P型阱区的上部从左到右依次设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。本发明在N型阱区上方设置了超浅沟槽隔离区，利用超浅沟槽隔离区的绝缘能力，增加了SCR中正极到负极路径上的等效电阻，实现提高SCR的维持电压的目的，并且有效降低了SCR的漏电风险。