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公开(公告)号：CN118033717A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410132231.1
申请日：2024-01-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开一种双阈值单粒子效应探测器及探测方法，涉及辐照测量技术领域，以解决现有测量的高能粒子注量和高能粒子LET参数准确率低的问题。双阈值单粒子效应探测器包括多个结构相同的SRAM存储单元，SRAM存储单元包括第一反相器和第二反相器；第一反相器与第二反相器交叉耦合后形成内部反馈链路，内部反馈链路包括第一反馈链路和第二反馈链路；第一反相器和第二反相器中互为反相的两个器件具有不同的宽长比，和/或在内部反馈链路添加能引起反馈链路中的反馈信号变化的目标器件。本发明提供的双阈值单粒子效应探测器用于提高测量高能粒子注量和高能粒子LET参数的准确率。
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公开(公告)号：CN112466953B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011366925.X
申请日：2020-11-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱、H型栅区以及体接触区，源区、漏区分别位于H型栅区开口处，P阱位于源区和漏区之间，体接触区位于H型栅区宽度方向的两端；体接触区上设置有注入窗口,定义为高浓度注入区，高浓度注入区包括场注入区，高浓度注入区使得场氧隔离区与SOI衬底埋氧层之间夹角处的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，通过将场氧隔离区与SOI衬底的埋氧层之间的夹角处的掺杂浓度提升，有效抑制器件关态漏电增大问题，显著提高器件的可靠性和工程应用水平。
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公开(公告)号：CN115184761A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210804575.3
申请日：2022-07-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统，双脉冲测量方式通过改变双脉冲间隔时长(冷却时长)来控制散热量，通过监测半导体器件输出电流与双脉冲间隔时长之间的相关性，在时域中观察自加热效应余热引起的电流变化，可准确表征出器件散热的真实情况；并且由于在采集电压值时，是采集脉冲信号0～100ns时间段对应的电压检测值，相当于是自加热效应刚刚开始时采集的电压检测值，自加热效应刚刚开始产生的热量对散热测试的影响很微弱，可以忽略不计，因此可克服自加热效应对散热测试过程的影响，进一步提高散热测试的准确性及精度。
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公开(公告)号：CN109884414B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910070909.7
申请日：2019-01-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块，M为不小于2的正整数；所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管，所述场效应晶体管用于捕获高能粒子，并在捕获到高能粒子时产生流过自身的瞬态电流信号，使所述高能粒子捕获模块的输出端的电位发生变化，N为正整数；所述信号放大模块用于放大对应的高能粒子捕获模块的输出端的电位变化，产生放大信号；所述信号探测模块用于探测对应的信号放大模块产生的放大信号，并在探测到所述放大信号时输出测试信号。本发明提供的高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，能够测试高能粒子离化电荷云半径及影响范围。
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公开(公告)号：CN112491020A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011277025.8
申请日：2020-11-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第四、第五静电阻抗器以及伪电源；端口PAD通过第一静电阻抗器连接伪电源；端口PAD通过第二静电阻抗器接地；端口PAD还通过第三静电阻抗器接地；端口PAD还依次通过第五以及第四静电阻抗器接地；第一静电阻抗器与伪电源的连接点通过第三静电阻抗器接地；其中，第五与第四静电阻抗器的连接点设置有防护对象连接端口。本发明提供的静电放电防护钳位电路在满足电路冷备份特性需求的前提下，提高电路静电放电防护性能。
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公开(公告)号：CN112466951A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011363637.9
申请日：2020-11-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法，包括：硅衬底、位于硅衬底上方的场氧区、有源区、阱区、体引出区、栅介质层及H型栅条；位于有源区边缘的场注入区；有源区包括源区、漏区以及沟道区，体引出区设置于H型栅条宽度方向的一侧；体引出区上设置有注入窗口，场氧区背面与硅衬底之间的交界面区域为重掺杂区域；重掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；二次离子注入的深度大于或等于源区及漏区的离子注入深度；如此，通过在体引出区上方增加一个窗口，沿注入窗口进行二次离子注入，确保场氧区边缘具有足够高的掺杂浓度，不会导致寄生晶体管开启，从而抑制MOS器件的关态漏电，提高MOS器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN112466938A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011349222.6
申请日：2020-11-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件。该结构中，N型阱区中的上部并排设置有第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，以形成第一空白掺杂区；P型阱区中的上部并排设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，以形成第二空白掺杂区；多晶硅与第一空白掺杂区存在重合区域，且覆盖第二空白掺杂区的顶部；硅化物阻隔层与第一P型重掺杂区存在重合区域，并与多晶硅存在重合区域，还覆盖第二空白掺杂区的顶部中多晶硅未覆盖区域。本发明利用硅化物阻挡层良好的限流能力，提高了SCR泄放静电电流的能力，并且使SCR具备较低维持电压，满足了深亚微米级电路静电放电保护要求。
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公开(公告)号：CN112466937A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011349209.0
申请日：2020-11-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构。包括：叠放设置的多晶硅、N型阱区、P型阱区、硅膜层、埋氧层和硅衬底层；硅膜层中沿左右方向相邻设置有N型阱区和P型阱区；N型阱区的顶部和P型阱区的顶部均接触多晶硅的底部；N型阱区的上部从左到右依次设置有第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和超浅沟槽隔离区；P型阱区的上部从左到右依次设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。本发明在N型阱区上方设置了超浅沟槽隔离区，利用超浅沟槽隔离区的绝缘能力，增加了SCR中正极到负极路径上的等效电阻，实现提高SCR的维持电压的目的，并且有效降低了SCR的漏电风险。
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公开(公告)号：CN112053968A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010876479.0
申请日：2020-08-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/66 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265
摘要： 本发明提供了一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置，方法包括：针对目标器件，获取目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；获取目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压、第一阈值电压以及亚阈值泄漏截止电流对应的第二栅电压；确定目标器件在目标温度下的目标阈值电压；基于目标阈值电压调整目标器件的阱离子注入浓度；如此，只需基于调整后的离子注入浓度注入离子即可达到目标阈值电压；在温度转移特性曲线上，确保亚阈值泄漏截止电流的截止点落在栅电压为零处，这样无需对器件结构及工艺流程做出大幅改变即可在确保器件的高温下的关态漏电达到最低，确保成本。
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公开(公告)号：CN111487452A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010313928.0
申请日：2020-04-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及高频电流探测技术领域，尤其涉及一种超快电流探测装置及脉冲测试系统，该装置包括：输入、输出、探测同轴连接器、阻抗匹配电路；阻抗匹配电路包括三端，第一端通过输入同轴连接器连接脉冲发生装置，第二端通过输出同轴连接器经传输线连接被测装置，且第二端通过输出同轴连接器经传输线连接探测接收装置的第一采集端，第三端通过该探测同轴连接器连接探测接收装置的第二采集端，该阻抗匹配电路的输入阻抗与阻抗匹配电路的输出阻抗、该脉冲发生装置的输出阻抗、该探测接收装置的第一采集端的第一阻抗以及第二采集端的第二阻抗，均与该脉冲测试系统的特征阻抗相等，可精确探测经过该超快电流探测装置的脉冲信号。
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