方法和半导体器件包括具有一个或多个半导体器件的衬底。在一些实施例中，器件还包括设置在一个或多个半导体器件上方的第一钝化层。器件可以进一步包括形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。此外，器件可以进一步包括设置在MIM电容器结构上方的第二钝化层。在各个实例中，应力减小部件嵌入在第二钝化层内。在一些实施例中，应力减小部件包括第一含氮层、设置在第一含氮层上方的含氧层和设置在含氧层上方的第二含氮层。本申请还涉及半导体器件及其形成方法。