发明公开
- 专利标题: 一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用
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申请号: CN202011578341.9申请日: 2020-12-28
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公开(公告)号: CN112687739A公开(公告)日: 2021-04-20
- 发明人: 叶镭 , 彭追日 , 童磊 , 李政 , 缪向水
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 尹丽媛; 李智
- 主分类号: H01L29/778
- IPC分类号: H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L21/335 ; H01L29/18 ; H01L29/12
摘要:
本发明属于二维半导体电路领域,具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用,包括:衬底,双极可调性二维材料,铁电衬底材料薄膜,以及顶部、底部金属电极;二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置;二维材料的表面设置有顶部金属电极;铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极;铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制;其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场,仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控,大幅降低功耗;同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道,具备可重构电路存储和计算能力。
公开/授权文献
- CN112687739B 一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用 公开/授权日:2023-05-12
IPC分类: