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公开(公告)号：CN114242886B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
摘要： 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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公开(公告)号：CN114597254A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
摘要： 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN114597254B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
摘要： 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DAC电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN114203541A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC分类号： H01L21/285
摘要： 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
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公开(公告)号：CN112687739A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011578341.9
申请日：2020-12-28
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/18 , H01L29/12
摘要： 本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。
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公开(公告)号：CN105956578B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610343814.4
申请日：2016-05-23
申请人： 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G06K9/00
摘要： 本发明公开了一种基于身份证件信息的人脸验证方法，该方法对身份证件芯片信息电子图A，身份证件表面人脸图像B，以及实时采集的人脸图像C进行；通过对图像A和B的比对，以及芯片信息文字W1和证件表面文字W2的比对，来判断证件的真伪；再通过图像B与C比对，来判断是否人证合一；由于身份证件的有效期较长，在长时间跨度下，身份证件持有人与证件照之间可能存在较大差异，该差异极大的影响了验证的准确度；本发明提出一种对时间跨度鲁棒性较强的频谱采样结构子空间特征算法来进行人脸验证，通过该算法对身份证件表面人脸图像与实时采集的人脸照片进行比对进行识别，具有有效提高识别率的优点。
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公开(公告)号：CN110161329B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910315577.4
申请日：2019-04-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种二代高温超导带材的失超电阻仿真预测方法，属于超导材料技术领域。本发明包括以下步骤：(1)对超导带材进行交流冲击或直流冲击实验，测量超导带材在失超过程中的电压和电流，推导得到超导带材在失超过程中电阻R和累积焦耳热Q的对应关系R～Q；(2)通过数学模型计算失超过程中产生的焦耳热Qn(3)由Qn查询R～Q，得到下一时刻的失超电阻Rin，设n＝n+1，Rn＝Rin，重复执行步骤(2)～(3)，直至计算得到超导带材所有时刻的失超电阻。本发明还实现了一种二代高温超导带材的失超电阻仿真预测系统。本发明对于超导带材的失超电阻仿真计算精度高，计算速度快，易于融入电力仿真系统进行宏观模拟。
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公开(公告)号：CN110161329A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910315577.4
申请日：2019-04-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种二代高温超导带材的失超电阻仿真预测方法，属于超导材料技术领域。本发明包括以下步骤：(1)对超导带材进行交流冲击或直流冲击实验，测量超导带材在失超过程中的电压和电流，推导得到超导带材在失超过程中电阻R和累积焦耳热Q的对应关系R～Q；(2)通过数学模型计算失超过程中产生的焦耳热Qn(3)由Qn查询R～Q，得到下一时刻的失超电阻Rin，设n＝n+1，Rn＝Rin，重复执行步骤(2)～(3)，直至计算得到超导带材所有时刻的失超电阻。本发明还实现了一种二代高温超导带材的失超电阻仿真预测系统。本发明对于超导带材的失超电阻仿真计算精度高，计算速度快，易于融入电力仿真系统进行宏观模拟。
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公开(公告)号：CN110003591A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910253409.7
申请日：2019-03-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开一种柔性纤维的制备方法及柔性纤维，包括：向TEP中加入聚偏氟乙烯，得到聚偏氟乙烯铸膜液，所述聚偏氟乙烯溶于TEP；将聚偏氟乙烯铸膜液涂到聚PET无纺布衬底上，得到聚偏氟乙烯初生膜；先将聚偏氟乙烯初生膜浸入磷酸三乙酯与水的混合溶液，再将聚偏氟乙烯初生膜浸入纯水中，使聚偏氟乙烯固化成膜，同时去除溶剂磷酸三乙酯，得到聚偏氟乙烯微孔膜；将烘干后的聚偏氟乙烯微孔膜中的PET无纺布剥离，得到阵列式多级多孔聚偏氟乙烯微孔膜，当聚偏氟乙烯微孔膜处于水中时，其表面会形成空气膜，导致声信号发生全反射。本发明利用聚偏氟乙烯可以制备柔性声学纤维，屏蔽环境噪声对水下声信号的影响，可以实现水下声无损通信。
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公开(公告)号：CN106022393A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610352919.6
申请日：2016-05-25
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于笔划编码的印刷体汉字识别方法，包括如下步骤：(1)根据汉字笔划对汉字进行编码；根据编码结果建立笔划编码数据库；(2)提取汉字库中各字符图像的LBP特征；(3)使用svm分类器学习汉字的编码，以获得学习器；(4)使用所述学习器对待识别汉字的字符图像进行预判，获取笔划编码；(5)将预判获得的笔划编码与笔划编码数据库里所有的笔划编码进行匹配，匹配成功的笔划编码所对应的汉字即为识别结果；本发明公开的这种印刷体汉字识别方法，基于笔划编码进行汉字识别，使用特征学习的方法空间映射预判，笔划编码特征向量只由25位二进制编码表示，具有识别速度快，识别精度高的特点。
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