发明公开
- 专利标题: 金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及制备方法
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申请号: CN202110060276.9申请日: 2021-01-18
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公开(公告)号: CN112750690A公开(公告)日: 2021-05-04
- 发明人: 许晟瑞 , 彭利萍 , 许文强 , 张金风 , 张怡 , 张雅超 , 任泽阳 , 张进成 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 陕西电子工业专利中心
- 代理商 王品华
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L29/20 ; H01L29/778
摘要:
本发明公开了一种金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及其制备方法,主要解决现有GaN基HEMT器件在大功率应用下的散热能力差和欧姆接触电阻的问题。其自下而上包括:衬底(1)、缓冲层(2)、GaN层(3)、InAlN外延层(4)和GaN帽层(5)。其中衬底(1)采用金刚石材料,用于外延生长异质结,以增强异质结的散热能力;缓冲层(2)采用BN材料,用于提高外延层质量;GaN层(3)采用N极性面GaN,用于降低欧姆接触电阻。本发明改善了GaN/InAlN异质结的散热能力,同时降低了欧姆接触电阻,从而为器件在大功率下的工作奠定了基础,可用制作高频、大功率高电子迁移率晶体管器件。
IPC分类: