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公开(公告)号：CN112736135B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110028079.9
申请日：2021-01-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。
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公开(公告)号：CN112736168A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110060273.5
申请日：2021-01-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，InxGa1‑xN/GaN多量子阱，p型GaN层，该n型GaN层和p型GaN层上分别设有n型电极和p型电极。其中：衬底采用r面蓝宝石，用以外延生长非极性a面GaN，InxGa1‑xN/GaN多量子阱为非极性，其周期数为5，且InxGa1‑xN阱层的In含量x的调整范围为0.1‑0.4。本发明消除了由极化效应造成的不良影响，进而提升了器件的发光效率，可用来制作高亮度、高分辨率和高对比度的显示器。
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公开(公告)号：CN112750690A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110060276.9
申请日：2021-01-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及其制备方法，主要解决现有GaN基HEMT器件在大功率应用下的散热能力差和欧姆接触电阻的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、GaN层(3)、InAlN外延层(4)和GaN帽层(5)。其中衬底(1)采用金刚石材料，用于外延生长异质结，以增强异质结的散热能力；缓冲层(2)采用BN材料，用于提高外延层质量；GaN层(3)采用N极性面GaN，用于降低欧姆接触电阻。本发明改善了GaN/InAlN异质结的散热能力，同时降低了欧姆接触电阻，从而为器件在大功率下的工作奠定了基础，可用制作高频、大功率高电子迁移率晶体管器件。
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公开(公告)号：CN112736135A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110028079.9
申请日：2021-01-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。
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