本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，生长外延层，形成第一沟槽、第二沟槽，制备屏蔽介质层、屏蔽栅层、屏蔽栅隔离层、栅介质层、栅极层、引出栅第一介质层、第一引出栅层、引出栅隔离层、引出栅第二介质层以及第二栅层，形成体区和源极，制备源极接触孔、引出栅接触孔，制备源极金属引出结构及引出栅电极结构。本发明将栅极引出结构制备在器件区之外的区域，可以制备较宽的第二沟槽，无需增加光罩，可制备较厚的第二引出栅层(如栅极多晶硅)和外延层之间引出栅第二介质层(如氧化层)，满足器件击穿电压需求。