公开(公告)号：CN113130633A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911400665.0

申请日：2019-12-30

申请人： 华润微电子(重庆)有限公司

发明人： 姚鑫 ,  焦伟 ,  骆菲 ,  冉英

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，生长外延层，形成第一沟槽、第二沟槽，制备屏蔽介质层、屏蔽栅层、屏蔽栅隔离层、栅介质层、栅极层、引出栅第一介质层、第一引出栅层、引出栅隔离层、引出栅第二介质层以及第二栅层，形成体区和源极，制备源极接触孔、引出栅接触孔，制备源极金属引出结构及引出栅电极结构。本发明将栅极引出结构制备在器件区之外的区域，可以制备较宽的第二沟槽，无需增加光罩，可制备较厚的第二引出栅层(如栅极多晶硅)和外延层之间引出栅第二介质层(如氧化层)，满足器件击穿电压需求。

公开(公告)号：CN116110928A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111321166.X

申请日：2021-11-09

申请人： 华润微电子(重庆)有限公司

发明人： 焦伟 ,  彭加欣 ,  冉英

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法，该屏蔽栅沟槽MOSFET包括漏极层、第一外延层、第二外延层、第一沟槽、第二沟槽、第一介质层、源极导电层、栅极沟槽、栅介质层、栅导电层、体区、源区、源极线层及栅极线层。本发明通过改变栅导电层的接法，将源极导电层、源区和体区通过通孔连接到源极线层，部分沟槽的栅导电层开孔接到栅极线层，相邻沟槽的栅导电层通过通孔连接到源极线层，从而降低了器件的零温度系数交叉点，提升了器件在线性工作区的工作能力，同时显著降低了器件的栅极电容和栅源电容，提高了器件应用开关频率，使得器件能够应用在需要更高开关频率的应用场合。此外，本发明的制作方法与常见结构的制造工艺相兼容，不增加额外成本。

公开(公告)号：CN113130633B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201911400665.0

申请日：2019-12-30

申请人： 华润微电子(重庆)有限公司

发明人： 姚鑫 ,  焦伟 ,  骆菲 ,  冉英

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，生长外延层，形成第一沟槽、第二沟槽，制备屏蔽介质层、屏蔽栅层、屏蔽栅隔离层、栅介质层、栅极层、引出栅第一介质层、第一引出栅层、引出栅隔离层、引出栅第二介质层以及第二栅层，形成体区和源极，制备源极接触孔、引出栅接触孔，制备源极金属引出结构及引出栅电极结构。本发明将栅极引出结构制备在器件区之外的区域，可以制备较宽的第二沟槽，无需增加光罩，可制备较厚的第二引出栅层(如栅极多晶硅)和外延层之间引出栅第二介质层(如氧化层)，满足器件击穿电压需求。