发明公开
- 专利标题: 蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统
-
申请号: CN202110067048.4申请日: 2021-01-19
-
公开(公告)号: CN113270315A公开(公告)日: 2021-08-17
- 发明人: 户村幕树 , 新关智彦 , 胜沼隆幸 , 笹川大成 , 中根由太 , 石川慎也 , 小野健太 , 熊仓翔 , 泷野裕辅 , 本田昌伸
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳; 刘芃茜
- 优先权: 2020-012240 20200129 JP 2020-101012 20200610 JP
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H01L21/308 ; H01J37/32
摘要:
本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上,并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。