公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次在衬底的第一侧的第二半导体层上方形成牺牲层并在该牺牲层上形成电介质堆叠层。形成穿过电介质堆叠层和牺牲层垂直延伸到第二半导体层中的沟道结构。用与第二半导体层接触的第一半导体层代替牺牲层。用存储器堆叠层代替电介质堆叠层，使得沟道结构穿过存储器堆叠层和第一半导体层垂直延伸到第二半导体层中。源极触点形成在衬底的与第一侧相对的第二侧，以与第二半导体层接触。